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type_fiche: fabrication
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produit: SSD M.2
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schema: SSDM2
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version: 1.0
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date: 2025-04-22
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commentaire: Version initiale
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auteur: Stéphan Peccini
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sources_communes:
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- Objectif_final_v0-7.pdf §2 (méthodologie de calcul)
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- …
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# Fiche {{ type_fiche }} {{ produit }}
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| Version | Date | Commentaire |
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| :-- | :-- | :-- |
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| {{ version }} | {{ date }} | {{ commentaire }} |
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## Présentation synthétique
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Les SSD M.2 représentent une évolution majeure du stockage informatique, adoptant un format compact et hautement intégré comparé aux traditionnels SSD 2.5". Ce format de stockage non-volatile utilise des puces mémoire flash NAND montées directement sur un circuit imprimé étroit et allongé, sans boîtier extérieur, permettant une intégration ultra-compacte dans des appareils de plus en plus fins. Les SSD M.2 se déclinent en plusieurs longueurs standards (22×30mm, 22×42mm, 22×60mm, 22×80mm, 22×110mm) et peuvent utiliser différentes interfaces : SATA III (limité à ~550 Mo/s) ou NVMe sur bus PCIe (atteignant 7000-7500 Mo/s sur PCIe 4.0 et jusqu'à 14000 Mo/s sur PCIe 5.0). Outre leur taille réduite, ces SSD offrent des avantages considérables en termes de performance, notamment pour les opérations d'entrée/sortie aléatoires (IOPS), avec une latence minimale et des débits séquentiels élevés. Leur consommation énergétique optimisée (typiquement 2-8W selon les modèles) contribue à l'autonomie des appareils portables, tandis que les modèles NVMe haut de gamme intègrent désormais des solutions thermiques avancées pour gérer la chaleur générée lors de transferts intensifs.
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## Composants utilisés
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| Composant | Fonction | Origine (fiche composant) | Part dans le coût total |
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| :-- | :-- | :-- | :-- |
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| NAND Flash | Stockage non-volatile des données | Fiche WaferMemoire | 50-65% |
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| Contrôleur SSD | Gestion des opérations d'écriture/lecture | Fiche WaferLogique | 15-22% |
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| DRAM Cache | Mémoire tampon pour performances | Fiche MemoireRAM | 5-10% |
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| Circuit imprimé (PCB) | Support des composants | Fiche CarteMere | 3-5% |
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| Connecteur M.2 | Interface avec la carte mère | Fiche Connecteurs | 2-4% |
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| Composants passifs | Régulation électrique | Fiche Ceramiques | 1-3% |
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| Firmware | Logiciel de gestion du SSD | - | 2-3% |
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| Solution thermique | Dissipation de chaleur | Fiche Aluminium | 1-3% |
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_Note: La proportion varie significativement entre les SSD M.2 SATA et NVMe, ainsi qu'entre les gammes entrée/milieu/haut de gamme. Les modèles NVMe haute performance intègrent davantage de DRAM et des contrôleurs plus sophistiqués._
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```yaml
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FFabrication_SSDM2:
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EtatsUnis_Fabrication_SSDM2:
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nom_du_pays: États-Unis
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part_de_marche: 39%
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acteurs:
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WD_EtatsUnis_Fabrication_SSDM2:
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nom_de_l_acteur: Western Digital
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part_de_marche: 17%
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pays_d_origine: États-Unis
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Kingston_EtatsUnis_Fabrication_SSDM2:
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nom_de_l_acteur: Kingston
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part_de_marche: 6%
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pays_d_origine: États-Unis
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Micron_EtatsUnis_Fabrication_SSDM2:
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nom_de_l_acteur: Micron/Crucial
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part_de_marche: 13%
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pays_d_origine: États-Unis
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Seagate_EtatsUnis_Fabrication_SSDM2:
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nom_de_l_acteur: Seagate
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part_de_marche: 3%
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pays_d_origine: États-Unis
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Taiwan_Fabrication_SSDM2:
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nom_du_pays: Taïwan
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part_de_marche: 5%
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acteurs:
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ADATA_Taiwan_Fabrication_SSDM2:
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nom_de_l_acteur: ADATA
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part_de_marche: 3%
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||
pays_d_origine: Taïwan
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Silicon_Taiwan_Fabrication_SSDM2:
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nom_de_l_acteur: Silicon Power
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part_de_marche: 2%
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||
pays_d_origine: Taïwan
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Chine_Fabrication_SSDM2:
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nom_du_pays: Chine
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part_de_marche: 6%
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acteurs:
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Longsys_Chine_Fabrication_SSDM2:
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nom_de_l_acteur: Longsys/Lexar
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part_de_marche: 2%
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||
pays_d_origine: Chine
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Yangtze_Chine_Fabrication_SSDM2:
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nom_de_l_acteur: Yangtze Memory
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part_de_marche: 4%
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||
pays_d_origine: Chine
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CoreeDuSud_Fabrication_SSDM2:
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nom_du_pays: Corée du Sud
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part_de_marche: 41%
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acteurs:
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Samsung_CoreeDuSud_Fabrication_SSDM2:
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||
nom_de_l_acteur: Samsung
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part_de_marche: 31%
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||
pays_d_origine: Corée du Sud
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SKHynix_CoreeDuSud_Fabrication_SSDM2:
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||
nom_de_l_acteur: SK Hynix
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part_de_marche: 10%
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||
pays_d_origine: Corée du Sud
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Japon_Fabrication_SSDM2:
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nom_du_pays: Japon
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part_de_marche: 8%
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||
acteurs:
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Kioxia_Japon_Fabrication_SSDM2:
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nom_de_l_acteur: Kioxia
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||
part_de_marche: 8%
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||
pays_d_origine: Japon
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```
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## Principaux fabricants
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<!---- AUTO-BEGIN:TABLEAU-FABRICANTS -->
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| **Pays d'implantation** | **Entreprise** | **Pays d'origine** | **Part de marché** |
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| :-- | :-- | :-- | :-- |
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*(cette section sera remplie automatiquement)*
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<!---- AUTO-END:TABLEAU-FABRICANTS -->
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**Unités** : million d'unité/an
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**Total** : 265
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_Note: Plusieurs fabricants n'ont pas leurs propres usines de NAND et assemblent leurs produits à partir de puces achetées auprès des fabricants intégrés comme Samsung, Micron, SK Hynix ou Kioxia._
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## Contraintes spécifiques à la fabrication
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| Contrainte | Description | Impact sur la production |
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| :-- | :-- | :-- |
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| Miniaturisation | Format compact exigeant haute densité | Techniques d'assemblage avancées, rendements réduits |
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| Fabrication NAND | Gravure 3D jusqu'à 176 couches | Équipements spécialisés coûteux, procédés complexes |
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| Intégrité du signal | Qualité des données à haute vitesse | Conception PCB sophistiquée, tests approfondis |
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| Dissipation thermique | Composants concentrés générant de la chaleur | Solutions thermiques intégrées, matériaux spécifiques |
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| Interface PCIe | Complexité des circuits pour NVMe | Conception avancée, compétences spécialisées |
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| Gestion énergétique | Optimisation performance/consommation | Circuits dédiés, firmware avancé |
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| Durabilité | Endurance adaptée aux écritures intensives | Algorithmes de wear-leveling, surprovisionnement |
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| Tests fonctionnels | Validation à haute vitesse (>7000 Mo/s) | Équipements de test spécialisés, cycles prolongés |
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| Protection contre coupures | Préservation des données en cas de perte d'alimentation | Circuits additionnels, condensateurs spécifiques |
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_Note: Les SSD M.2 NVMe présentent des défis particuliers liés à la concentration de composants performants dans un format ultra-compact, notamment en matière de dissipation thermique et d'intégrité du signal à haute vitesse._
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## Matrice des risques liés à la fabrication
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| Impact/Probabilité | Faible | Moyen | Fort |
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| :-- | :-- | :-- | :-- |
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| **Fort** | | R1 (Concentration NAND) | R2 (Fluctuations prix mémoire) |
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| **Moyen** | R3 (Transitions d'interface) | R4 (Contraintes thermiques) | R5 (Dépendance équipements) |
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| **Faible** | R6 (Standardisation) | | |
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**Détail des risques principaux:**
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- **R1**: Concentration de la production de NAND flash chez un nombre limité d'acteurs (Samsung, Micron, Kioxia, SK Hynix)
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- **R2**: Volatilité importante des prix de la mémoire NAND (variations >50% possibles sur 12 mois)
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- **R3**: Transitions technologiques régulières (PCIe 3.0→4.0→5.0) nécessitant des adaptations de conception
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- **R4**: Défis thermiques croissants à mesure que les performances augmentent dans un format compact
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- **R5**: Dépendance critique aux fournisseurs d'équipements de lithographie avancée (ASML, Applied Materials)
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- **R6**: Évolution des standards de connecteurs et facteurs de forme (NVMe, dimensions M.2)
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<!---- AUTO-BEGIN:SECTION-IHH -->
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||
*(cette section sera remplie automatiquement)*
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<!---- AUTO-END:SECTION-IHH -->
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## Scénarios critiques projetés
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À compléter
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## Sources
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- https://www.statista.com/statistics/748599/worldwide-solid-state-disk-market-share-by-vendor/
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- https://www.marketsandmarkets.com/Market-Reports/solid-state-drive-market-75076578.html
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- https://www.trendfocus.com/solid-state-storage-and-technology/
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- https://www.techspot.com/article/2316-ssd-market-share/
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- https://www.tomshardware.com/reviews/ssd-buying-guide,5602.html
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- https://www.anandtech.com/show/16458/the-western-digital-wd-black-sn850-review
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||
- https://www.snia.org/education/what-is-ssd
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||
- https://www.semiconductor-digest.com/global-nand-flash-industry-revenue-drops-13-7-in-4q21-due-to-easing-supply-chain-disruptions/ |