Actualiser Documents/Fabrication/Fiche fabrication mémoire RAM.md

Documents/Fabrication/Fiche fabrication mémoire RAM.md

@@ -1,10 +1,22 @@
-<img src="https://r2cdn.perplexity.ai/pplx-full-logo-primary-dark%402x.png" class="logo" width="120"/>
-
-# 
-
 ---
+type_fiche: fabrication
+produit: Mémoire RAM
+schema: MemoireRAM
+version: 1.0
+date: 2025-04-22
+commentaire: Version initiale
+auteur: Stéphan Peccini
+sources_communes:
+  - Objectif_final_v0-7.pdf §2  (méthodologie de calcul)
+  - …
+---
+# Fiche {{ type_fiche }} {{ produit }}
 
-# Fiche composant : Mémoire RAM
+| Version | Date | Commentaire |
+| :-- | :-- | :-- |
+| {{ version }} | {{ date }} | {{ commentaire }} |
+
+## Présentation synthétique
 
 La mémoire RAM (Random Access Memory) constitue un élément essentiel des systèmes informatiques, servant de mémoire de travail temporaire à accès rapide pour le processeur. Ce composant à semi-conducteurs utilise principalement des cellules de stockage basées sur des transistors et des condensateurs (DRAM) organisés en matrices denses. La technologie dominante actuelle, la DDR (Double Data Rate), a évolué à travers plusieurs générations, avec la DDR4 en fin de cycle et la DDR5 en déploiement progressif, offrant des fréquences atteignant 6400 MT/s et des capacités par module de 2 Go à 256 Go. Contrairement à la mémoire de stockage permanente, la RAM est volatile, perdant ses données en l'absence d'alimentation électrique. Sa fabrication implique des procédés de lithographie avancés, avec des finesses de gravure descendant jusqu'à 10-14nm, nécessitant des salles blanches ultra-propres et des équipements de précision extrême. Le marché mondial de la mémoire RAM représente environ 95 milliards de dollars, caractérisé par une forte cyclicité des prix et dominé par trois acteurs majeurs contrôlant plus de 95% de la production.
 
@@ -23,23 +35,52 @@ La mémoire RAM (Random Access Memory) constitue un élément essentiel des syst
 
 _Note: La composition exacte varie selon le type de mémoire (DDR4, DDR5, LPDDR, HBM) et le fabricant._
 
+```yaml
+Fabrication_MemoireRAM:
+  EtatsUnis_Fabrication_MemoireRAM:
+    nom_du_pays: États-Unis
+    part_de_marche: 23%
+    acteurs:
+      Micron_EtatsUnis_Fabrication_MemoireRAM:
+        nom_de_l_acteur: Micron
+        part_de_marche: 23%
+        pays_d_origine: États-Unis
+  CoreeDuSud_Fabrication_MemoireRAM:
+    nom_du_pays: Corée du Sud
+    part_de_marche: 71%
+    acteurs:
+      SKHynix_CoreeDuSud_Fabrication_MemoireRAM:
+        nom_de_l_acteur: SK Hynix
+        part_de_marche: 28%
+        pays_d_origine: Corée du Sud
+      Samsung_CoreeDuSud_Fabrication_MemoireRAM:
+        nom_de_l_acteur: Samsung Electronics
+        part_de_marche: 43%
+        pays_d_origine: Corée du Sud
+  Taiwan_Fabrication_MemoireRAM:
+    nom_du_pays: Taïwan
+    part_de_marche: 3%
+    acteurs:
+      Nanya_Taiwan_Fabrication_MemoireRAM:
+        nom_de_l_acteur: Nanya
+        part_de_marche: 2%
+        pays_d_origine: Taïwan
+      Winbond_Taiwan_Fabrication_MemoireRAM:
+        nom_de_l_acteur: Winbond
+        part_de_marche: 1%
+        pays_d_origine: Taïwan
+```
 ## Principaux fabricants
 
-| Pays d'implantation | Entreprise | Pays d'origine | Capacité de production (millions d'unités/an) | Spécialisation | Part de marché estimée |
+<!---- AUTO-BEGIN:TABLEAU-FABRICANTS -->
-| :-- | :-- | :-- | :-- | :-- | :-- |
+| **Pays d'implantation** | **Entreprise** | **Pays d'origine** | **Part de marché** |
-| Corée du Sud | Samsung Electronics | Corée du Sud | 850 | DRAM, HBM, large gamme | 43% |
+| :-- | :-- | :-- | :-- |
-| Corée du Sud | SK Hynix | Corée du Sud | 570 | DRAM, LPDDR, HBM | 28% |
+*(cette section sera remplie automatiquement)*
-| **Total Corée du Sud** |  |  | **1420** | **Diverses** | **71%** |
+<!---- AUTO-END:TABLEAU-FABRICANTS -->
-| États-Unis | Micron Technology | États-Unis | 480 | DRAM, serveurs, automobile | 23% |
+
-| **Total États-Unis** |  |  | **480** | **Diverses** | **23%** |
+**Unités** : million d'unité/an
-| Chine | CXMT (ChangXin) | Chine | 60 | DRAM grand public | 3% |
+
-| Chine | YMTC | Chine | 40 | Mémoire en développement | 1% |
+**Total** : 2045
-| **Total Chine** |  |  | **100** | **Diverses** | **4%** |
-| Taiwan | Nanya Technology | Taiwan | 35 | DRAM spécialisée | 1.5% |
-| **Total Taiwan** |  |  | **35** | **Diverses** | **1.5%** |
-| Japon | Kioxia (ex-Toshiba) | Japon | 10 | DRAM spécialisée | 0.5% |
-| **Total Japon** |  |  | **10** | **Diverses** | **0.5%** |
-| **Total mondial** |  |  | **2045** | **Toutes catégories** | **100%** |
 
 _Note: Les capacités indiquées représentent la production annuelle estimée en 2024-2025. Le marché est extrêmement concentré, avec trois acteurs majeurs contrôlant plus de 94% de la production mondiale._
 
@@ -77,6 +118,14 @@ _Note: Les contraintes de fabrication de la RAM sont parmi les plus strictes de
 - **R6**: Environnement de brevets complexe et litiges potentiels entre fabricants
 
 
+<!---- AUTO-BEGIN:SECTION-IHH -->
+*(cette section sera remplie automatiquement)*
+<!---- AUTO-END:SECTION-IHH -->
+
+## Scénarios critiques projetés
+
+À compléter
+
 ## Sources
 
 - https://www.statista.com/statistics/271726/global-market-share-held-by-dram-vendors/
@@ -88,18 +137,3 @@ _Note: Les contraintes de fabrication de la RAM sont parmi les plus strictes de
 - https://www.semiconductors.org/wp-content/uploads/2020/06/Phase-1-Report.pdf
 - https://www.gartner.com/en/newsroom/press-releases/2023-03-02-gartner-says-worldwide-semiconductor-revenue-decreased-11-point-2-percent-in-2022
 - https://www.jedec.org/standards-documents/focus/memory-module-designs-dimms
-
-<div style="text-align: center">⁂</div>
-
-[^1]: https://ppl-ai-file-upload.s3.amazonaws.com/web/direct-files/54409347/4362006a-2eb5-42b9-b543-33dce01d62fb/paste.txt
-
-[^2]: https://fr.wikipedia.org/wiki/Paris
-
-[^3]: https://www.toitdeparis.com/post/why-is-paris-the-capital-of-france
-
-[^4]: https://home.adelphi.edu/~ca19535/page 4.html
-
-[^5]: https://fr.wikipedia.org/wiki/Capitale_de_la_France
-
-[^6]: https://www.britannica.com/place/Paris
-