diff --git a/Documents/Criticités/Fiche technique ICS.md b/Documents/Criticités/Fiche technique ICS.md
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+++ b/Documents/Criticités/Fiche technique ICS.md	
@@ -28,6 +28,32 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
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+## Audio -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, modifications des procédés de dopage pour utiliser d'autres éléments.
+    - **Quel impact**: Modification des caractéristiques électriques des semi-conducteurs analogiques, notamment en termes de mobilité des porteurs et de comportement thermique, potentiellement critique pour les applications analogiques de précision.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de semi-conducteurs utilisant d'autres matériaux ou approches de dopage, technologies basées sur des matériaux bidimensionnels.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances analogiques acceptables mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications sensibles.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers analogiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-25% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers analogiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Audio -> Dysprosium - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -57,6 +83,61 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [4] - European Commission. (2023).["Study on the Critical Raw Materials for the EU"](<https://single-market-economy.ec.europa.eu/publications/critical-raw-materials_en>), Report on Critical Raw Materials and the Circular Economy.
 - [5] - Poudyal, N., \& Liu, J. P. (2013).["Advances in nanostructured permanent magnets research"](<https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/46/4/043001>), Journal of Physics D: Applied Physics, 46(4), 043001.
 
+
+## Audio -> Gallium - Coefficient: 0.47
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Arséniure de silicium (SiAs), phosphure d'indium (InP).
+    - **Quel impact**: Performances inférieures en fréquence (> 30% de perte) et rendement énergétique réduit. Coûts de production augmentés de 15-25% pour compensation des pertes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Semi-conducteurs à base de germanium dopé, composites 2D (ex. graphène/h-BN).
+    - **Quel impact**: Potentiel de performances équivalentes mais nécessite des avancées majeures en ingénierie quantique. Problèmes de stabilité thermique persistants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Transition partielle vers InP réalisable en 1-3 ans pour applications non critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Technologies émergentes estimées à 4-6 ans pour validation industrielle (R&D intensive en cours).
+
+### Impact coût: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Surcoût opérationnel de 20-35% pour maintien des spécifications techniques avec substituts.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements R&D initiaux > 200M€ pour l'industrie européenne. Réduction à 50-70% des coûts à horizon 2030.
+
+### Sources
+- 1] - Ambacher, O. (2018). "GaN technology for RF applications", _Compound Semiconductors Magazine_.
+- 2] - European Commission (2024). "Critical Raw Materials Resilience Dashboard".
+- 3] - Yole Développement (2023). "RF GaN Market Report".
+
+
+## Audio -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium-germanium (SiGe) avec teneur réduite en germanium, silicium dopé fortement pour certaines applications analogiques, matériaux III-V pour des applications spécifiques.
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de mobilité des porteurs de charge et de fonctionnement à haute fréquence. Le germanium offre des avantages uniques pour les circuits analogiques de haute performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Graphène et autres matériaux bidimensionnels, nouveaux composés semiconducteurs.
+    - **Quel impact**: Potentiel de dépasser les performances du germanium pour certaines applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à l'échelle industrielle.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption d'alternatives à base de silicium estimée à 2-4 ans, avec des compromis importants sur les performances qui nécessiteraient une reconception des circuits analogiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Commercialisation des technologies émergentes estimée à 5-8 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts avec des solutions purement à base de silicium, mais compensée par des besoins accrus en optimisation de conception.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction de coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Audio -> Manganese - Coefficient: 0.6
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -86,6 +167,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [4] - Cho SY, et al. (2018).["Effect of Manganese Oxide over Cu-Mn-Based Oxygen Carriers for Chemical Looping Combustion"](<https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/29677817/>), .
 - [5] - Small Caps (2024).["Manganese: the next hot battery metal"](<https://smallcaps.com.au/manganese-the-next-hot-battery-metal/>), .
 
+
 ## Audio -> Neodyme - Coefficient: 0.47
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -117,6 +199,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [5] - Tritton Audio (2023).["The Role of Neodymium Speaker Drivers in Audio Devices."](<https://trittonaudio.com/blog/neodymium-speaker-drivers/https://nationalmaglab.org/news-events/feature-stories/replacing-rare-earths/>),
 - [7] - DIY Audio (2005).["If neodymium is all that great..."](<https://www.diyaudio.com/community/threads/if-neodymium-is-all-that-great.54110/E5->),
 
+
+## Audio -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, modifications des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des composants analogiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Audio -> Praseodyme - Coefficient: 0.41
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -145,6 +254,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - France Minéraux (n.d.).["Praséodyme - Élément atomique n°59 - Symbole Pr"](<https://www.france-mineraux.fr/tableau-periodique-des-elements/praseodyme/>), .
 - [3] - ADEME (n.d.).["Etude des besoins en métaux dans le secteur numérique"](<https://www.connaissancedesenergies.org/sites/connaissancedesenergies.org/files/pdf-actualites/ADEME-besoins-metaux-et-numerique-rapport.pdf>), .
 
+
+## Audio -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Germanium pour certaines applications spécifiques, matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) pour les applications haute fréquence.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations en termes d'intégration et de compatibilité avec les technologies existantes basées sur le silicium.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, nouveaux composés semiconducteurs, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les chaînes de production existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (2-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Audio -> Tungstene - Coefficient: 0.61
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -171,6 +307,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - Kindle-Tech. (2024).["Par Quoi Remplacer Le Carbure De Tungstène ? Explorez Les alternatives."](<https://fr.kindle-tech.com/faqs/what-is-a-substitute-for-tungsten-carbide>),
 - [2] - MineralInfo. (2022).["Fiche de criticité, Tungstène – W."](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2022-12/d%C3%A9cembre2022_Fiche_W_complete.pdf>),
 
+
+## Batterie -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, modifications des procédés de dopage pour utiliser d'autres éléments.
+    - **Quel impact**: Modification des caractéristiques électriques des semi-conducteurs analogiques, notamment en termes de mobilité des porteurs et de comportement thermique, potentiellement critique pour les applications analogiques de précision.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de semi-conducteurs utilisant d'autres matériaux ou approches de dopage, technologies basées sur des matériaux bidimensionnels.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances analogiques acceptables mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications sensibles.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers analogiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-25% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers analogiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Batterie -> Cobalt - Coefficient: 0.57
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -197,6 +360,61 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - National Geographic. (2024).["Pourquoi le cobalt, ce métal essentiel à la technologie, est-il si controversé?"](<https://www.nationalgeographic.fr/sciences/pourquoi-le-cobalt-ce-metal-essentiel-a-la-technologie-est-il-si-controverse>),
 - [2] - Forbes. (2023).["Researchers Create Cleaner Alternative To Using Cobalt In Batteries."](<https://www.forbes.com/sites/britneynguyen/2023/10/19/researchers-create-cleaner-alternative-to-using-cobalt-in-batteries/>),
 
+
+## Batterie -> Gallium - Coefficient: 0.47
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Arséniure de silicium (SiAs), phosphure d'indium (InP).
+    - **Quel impact**: Performances inférieures en fréquence (> 30% de perte) et rendement énergétique réduit. Coûts de production augmentés de 15-25% pour compensation des pertes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Semi-conducteurs à base de germanium dopé, composites 2D (ex. graphène/h-BN).
+    - **Quel impact**: Potentiel de performances équivalentes mais nécessite des avancées majeures en ingénierie quantique. Problèmes de stabilité thermique persistants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Transition partielle vers InP réalisable en 1-3 ans pour applications non critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Technologies émergentes estimées à 4-6 ans pour validation industrielle (R&D intensive en cours).
+
+### Impact coût: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Surcoût opérationnel de 20-35% pour maintien des spécifications techniques avec substituts.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements R&D initiaux > 200M€ pour l'industrie européenne. Réduction à 50-70% des coûts à horizon 2030.
+
+### Sources
+- 1] - Ambacher, O. (2018). "GaN technology for RF applications", _Compound Semiconductors Magazine_.
+- 2] - European Commission (2024). "Critical Raw Materials Resilience Dashboard".
+- 3] - Yole Développement (2023). "RF GaN Market Report".
+
+
+## Batterie -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium-germanium (SiGe) avec teneur réduite en germanium, silicium dopé fortement pour certaines applications analogiques, matériaux III-V pour des applications spécifiques.
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de mobilité des porteurs de charge et de fonctionnement à haute fréquence. Le germanium offre des avantages uniques pour les circuits analogiques de haute performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Graphène et autres matériaux bidimensionnels, nouveaux composés semiconducteurs.
+    - **Quel impact**: Potentiel de dépasser les performances du germanium pour certaines applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à l'échelle industrielle.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption d'alternatives à base de silicium estimée à 2-4 ans, avec des compromis importants sur les performances qui nécessiteraient une reconception des circuits analogiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Commercialisation des technologies émergentes estimée à 5-8 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts avec des solutions purement à base de silicium, mais compensée par des besoins accrus en optimisation de conception.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction de coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Batterie -> Graphite - Coefficient: 0.51
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -224,6 +442,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [4] - Visual Capitalist. (2023).["Graphite: An Essential Material in the Battery Supply Chain."](<https://elements.visualcapitalist.com/graphite-essential-material-in-battery-supply-chain/>),
 - [14] - Innovation News Network. (n.d.).["Battery manufacturers must secure their graphite supply chain with resources in ground."](<https://www.innovationnewsnetwork.com/battery-manufacturers-must-secure-graphite-supply-chain-resources-ground/35325/>),
 
+
 ## Batterie -> Lanthane - Coefficient: 0.54
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -249,6 +468,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [7] - Usbek & Rica. (n.d.).["Batteries au fluorure : une alternative plus propre et efficace."](<https://usbeketrica.com/fr/article/batterie-fluorure-propre-efficace-transition-energetique>),
 
+
 ## Batterie -> Lithium - Coefficient: 0.51
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -275,6 +495,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [9] - Triple Pundit. (2024).["Lithium is Good, But What Are Some Better Battery Alternatives?"](<https://www.triplepundit.com/story/2024/lithium-ion-battery-alternatives/812721>),
 - [15] - Jungheinrich. (2025).["Avantages et inconvénients des batteries au lithium-ion."](<https://www.jungheinrich-profishop.fr/fr/guide-pro/batterie-lithium/>),
 
+
 ## Batterie -> Manganese - Coefficient: 0.4
 
 ### Faisabilité technique: 0.4
@@ -301,6 +522,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [11] - EV Engineering Online. (2025).["First high-purity manganese produced to support EV battery supply chains."](<https://www.evengineeringonline.com/first-high-purity-manganese-produced-to-support-ev-battery-supply-chains/>),
 - [12] - Euronews. (n.d.).["Manganese batteries: Could they be the main driver for EVs?"](<https://www.euronews.com/business/2024/06/08/manganese-batteries-could-they-ever-be-the-main-driver-in-the-evs-market>),
 
+
 ## Batterie -> Nickel - Coefficient: 0.44
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -326,6 +548,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [15] - Jungheinrich. (2025).["Avantages et inconvénients des batteries au lithium-ion."](<https://www.jungheinrich-profishop.fr/fr/guide-pro/batterie-lithium/>),
 
+
+## Batterie -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, modifications des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des composants analogiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## Batterie -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Germanium pour certaines applications spécifiques, matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) pour les applications haute fréquence.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations en termes d'intégration et de compatibilité avec les technologies existantes basées sur le silicium.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, nouveaux composés semiconducteurs, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les chaînes de production existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (2-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Batterie -> Zinc - Coefficient: 0.3
 
 ### Faisabilité technique: 0.3
@@ -352,6 +627,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [9] - Triple Pundit. (2024).["Lithium is Good, But What Are Some Better Battery Alternatives?"](<https://www.triplepundit.com/story/2024/lithium-ion-battery-alternatives/812721>),
 - [13] - Semantic Scholar. (1986).["Analytical Solution for Flow‐Through Porous Electrode under Linear Polarization."](<https://www.semanticscholar.org/paper/271c1efafa8609542d2c77145b41f66c8fae383e>),
 
+
 ## Boitier -> Chrome - Coefficient: 0.39
 
 ### Faisabilité technique: 0.3
@@ -379,6 +655,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - Techniques de l'Ingénieur. (2021).["Revêtements PVD et alternatives au chromage."](<https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/materiaux-th11/traitements-de-surface-des-metaux-en-milieu-aqueux-42359210/>),
 - [3] - PVD Coatings. (n.d.).["Alternatives to Chrome Plating."](<https://www.pvdcoatings.org/applications/decorative-finishes/>),
 
+
 ## Boitier -> Magnesium - Coefficient: 0.5
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -406,6 +683,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - Techniques de l'Ingénieur. (2021).["Alliages légers pour applications structurales."](<https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/materiaux-th11/metaux-et-alliages-non-ferreux-42357210/>),
 - [3] - Fraunhofer Institute. (2023).["Bio-based composites as substitutes for technical metals."](<https://www.fraunhofer.de/en/research/current-research/bio-based-materials.html>),
 
+
 ## Boitier -> Manganese - Coefficient: 0.4
 
 ### Faisabilité technique: 0.4
@@ -432,6 +710,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - Total Materia. (2023).["Manganese in Steel."](<https://www.totalmateria.com/page.aspx?ID=CheckArticle&site=ktn&NM=235>),
 - [2] - Techniques de l'Ingénieur. (2022).["Alliages pour boîtiers électroniques: tendances et innovations."](<https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/materiaux-th11/alliages-metalliques-42489210/>),
 
+
 ## Boitier -> Titane - Coefficient: 0.67
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -459,6 +738,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - Materials Today. (2023).["Titanium in Consumer Electronics: Challenges and Opportunities."](<https://www.materialstoday.com/metals-alloys/features/titanium-in-consumer-electronics/>),
 - [3] - Advanced Materials. (2023).["Substitution strategies for critical metals in high-tech applications."](<https://doi.org/10.1002/adma.202200822>),
 
+
 ## Boitier -> Zinc - Coefficient: 0.3
 
 ### Faisabilité technique: 0.3
@@ -485,6 +765,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - European Commission. (2023).["Critical Raw Materials for Strategic Technologies and Sectors in the EU - A Foresight Study."](<https://rmis.jrc.ec.europa.eu/uploads/CRMs_for_Strategic_Technologies_and_Sectors_in_the_EU_2023.pdf>),
 - [2] - Insplorion. (2023).["Metal Coatings in Electronics: Beyond Zinc."](<https://www.insplorion.com/news-media/blog/2023/metal-coatings-in-electronics-beyond-zinc/>),
 
+
+## Camera -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, modifications des procédés de dopage pour utiliser d'autres éléments.
+    - **Quel impact**: Modification des caractéristiques électriques des semi-conducteurs analogiques, notamment en termes de mobilité des porteurs et de comportement thermique, potentiellement critique pour les applications analogiques de précision.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de semi-conducteurs utilisant d'autres matériaux ou approches de dopage, technologies basées sur des matériaux bidimensionnels.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances analogiques acceptables mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications sensibles.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers analogiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-25% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers analogiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Camera -> Cerium - Coefficient: 0.71
 
 ### Faisabilité technique: 0.8
@@ -512,6 +819,89 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - Nature Materials. (2022).["Cerium's role in modern optics and challenges for substitution."](<https://www.nature.com/articles/s41563-021-01175-0>),
 - [3] - MDPI Materials. (2023).["Critical Raw Materials in Consumer Electronics: Focus on Optical Applications."](<https://www.mdpi.com/1996-1944/12/7/1053>),
 
+
+## Camera -> Gallium - Coefficient: 0.41
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Phosphure d'indium (InP) pour lasers, silicium cristallin pour photovoltaïque.
+    - **Quel impact**: Rendement lumineux réduit de 40% pour LEDs, efficacité photovoltaïque limitée à 18-22% contre 25-28% pour CIGS.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Pérovskites hybrides, points quantiques InSb.
+    - **Quel impact**: Potentiel théorique supérieur au GaAs mais durée de vie opérationnelle < 1000h dans les prototypes actuels.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption progressive du silicium en 2-4 ans pour applications basse performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - Horizon 5-8 ans pour solutions pérovskites stables (défis de scaling industriel).
+
+### Impact coût: 0.3
+- **Alternative existante**:
+    - Coûts réduits de 10-15% grâce au silicium mais perte de compétitivité technologique.
+- **Alternative théorique**:
+    - Coûts de fabrication initiaux 3x supérieurs, nécessitant des subventions publiques pour adoption.
+
+### Sources
+- 1] - Green, M.A. (2020). "Photovoltaic technologies beyond the silicon era", _Progress in Photovoltaics_.
+- 2] - LED Professional (2023). "Global LED Materials Market Analysis".
+- 3] - Fraunhofer ISE (2024). "CIGS vs Perovskite Solar Cells Roadmap".
+
+
+## Camera -> Gallium - Coefficient: 0.47
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Arséniure de silicium (SiAs), phosphure d'indium (InP).
+    - **Quel impact**: Performances inférieures en fréquence (> 30% de perte) et rendement énergétique réduit. Coûts de production augmentés de 15-25% pour compensation des pertes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Semi-conducteurs à base de germanium dopé, composites 2D (ex. graphène/h-BN).
+    - **Quel impact**: Potentiel de performances équivalentes mais nécessite des avancées majeures en ingénierie quantique. Problèmes de stabilité thermique persistants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Transition partielle vers InP réalisable en 1-3 ans pour applications non critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Technologies émergentes estimées à 4-6 ans pour validation industrielle (R&D intensive en cours).
+
+### Impact coût: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Surcoût opérationnel de 20-35% pour maintien des spécifications techniques avec substituts.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements R&D initiaux > 200M€ pour l'industrie européenne. Réduction à 50-70% des coûts à horizon 2030.
+
+### Sources
+- 1] - Ambacher, O. (2018). "GaN technology for RF applications", _Compound Semiconductors Magazine_.
+- 2] - European Commission (2024). "Critical Raw Materials Resilience Dashboard".
+- 3] - Yole Développement (2023). "RF GaN Market Report".
+
+
+## Camera -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium-germanium (SiGe) avec teneur réduite en germanium, silicium dopé fortement pour certaines applications analogiques, matériaux III-V pour des applications spécifiques.
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de mobilité des porteurs de charge et de fonctionnement à haute fréquence. Le germanium offre des avantages uniques pour les circuits analogiques de haute performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Graphène et autres matériaux bidimensionnels, nouveaux composés semiconducteurs.
+    - **Quel impact**: Potentiel de dépasser les performances du germanium pour certaines applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à l'échelle industrielle.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption d'alternatives à base de silicium estimée à 2-4 ans, avec des compromis importants sur les performances qui nécessiteraient une reconception des circuits analogiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Commercialisation des technologies émergentes estimée à 5-8 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts avec des solutions purement à base de silicium, mais compensée par des besoins accrus en optimisation de conception.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction de coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Camera -> Holmium - Coefficient: 0.84
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -539,6 +929,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - IEEE Spectrum. (2023).["The Critical Materials Crisis Threatening the Future of Tech."](<https://spectrum.ieee.org/critical-materials>),
 - [3] - APL Photonics. (2021).["Magneto-optical materials for advanced photonic devices."](<https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0048909>),
 
+
 ## Camera -> Lanthane - Coefficient: 0.64
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -565,6 +956,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - Institut d'Optique. (2023).["Les terres rares dans les systèmes optiques modernes."](<https://www.institutoptique.fr/actualites/terres-rares-systemes-optiques>),
 - [2] - Zeiss Vision. (2022).["High-Performance Optical Materials."](<https://www.zeiss.com/vision-care/int/about-us/newsroom/news-overview/2022/high-performance-optical-materials.html>),
 
+
+## Camera -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, modifications des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des composants analogiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Camera -> Platine - Coefficient: 0.71
 
 ### Faisabilité technique: 0.8
@@ -591,6 +1009,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - IEEE Spectrum. (2023).["The Critical Materials Crisis Threatening the Future of Tech."](<https://spectrum.ieee.org/critical-materials>),
 - [2] - Materials Today. (2023).["Substituting Platinum in Electronic Components."](<https://www.materialstoday.com/electronic-properties/features/substituting-platinum-in-electronic-components/>),
 
+
+## Camera -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Germanium pour certaines applications spécifiques, matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) pour les applications haute fréquence.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations en termes d'intégration et de compatibilité avec les technologies existantes basées sur le silicium.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, nouveaux composés semiconducteurs, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les chaînes de production existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (2-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## Capteurs -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, modifications des procédés de dopage pour utiliser d'autres éléments.
+    - **Quel impact**: Modification des caractéristiques électriques des semi-conducteurs analogiques, notamment en termes de mobilité des porteurs et de comportement thermique, potentiellement critique pour les applications analogiques de précision.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de semi-conducteurs utilisant d'autres matériaux ou approches de dopage, technologies basées sur des matériaux bidimensionnels.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances analogiques acceptables mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications sensibles.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers analogiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-25% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers analogiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Capteurs -> Gadolinium - Coefficient: 0.74
 
 ### Faisabilité technique: 0.8
@@ -618,6 +1089,61 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [4] - PubMed. (2019).["Toxicological Risk Assessments of Iron Oxide Nanocluster- and Gadolinium-Based T1MRI Contrast Agents in Renal Failure Rats."](<https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/31141658/>),
 - [6] - Semantic Scholar.["A Potential Substitution for Gadolinium in Brachial Plexus Magnetic Resonance Neurography: Deep Learning-Based Virtual Enhancement."](<https://www.semanticscholar.org/paper/9b4f8e02cda1375f98ac18e36a7ad873b3e1b419>),
 
+
+## Capteurs -> Gallium - Coefficient: 0.47
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Arséniure de silicium (SiAs), phosphure d'indium (InP).
+    - **Quel impact**: Performances inférieures en fréquence (> 30% de perte) et rendement énergétique réduit. Coûts de production augmentés de 15-25% pour compensation des pertes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Semi-conducteurs à base de germanium dopé, composites 2D (ex. graphène/h-BN).
+    - **Quel impact**: Potentiel de performances équivalentes mais nécessite des avancées majeures en ingénierie quantique. Problèmes de stabilité thermique persistants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Transition partielle vers InP réalisable en 1-3 ans pour applications non critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Technologies émergentes estimées à 4-6 ans pour validation industrielle (R&D intensive en cours).
+
+### Impact coût: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Surcoût opérationnel de 20-35% pour maintien des spécifications techniques avec substituts.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements R&D initiaux > 200M€ pour l'industrie européenne. Réduction à 50-70% des coûts à horizon 2030.
+
+### Sources
+- 1] - Ambacher, O. (2018). "GaN technology for RF applications", _Compound Semiconductors Magazine_.
+- 2] - European Commission (2024). "Critical Raw Materials Resilience Dashboard".
+- 3] - Yole Développement (2023). "RF GaN Market Report".
+
+
+## Capteurs -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium-germanium (SiGe) avec teneur réduite en germanium, silicium dopé fortement pour certaines applications analogiques, matériaux III-V pour des applications spécifiques.
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de mobilité des porteurs de charge et de fonctionnement à haute fréquence. Le germanium offre des avantages uniques pour les circuits analogiques de haute performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Graphène et autres matériaux bidimensionnels, nouveaux composés semiconducteurs.
+    - **Quel impact**: Potentiel de dépasser les performances du germanium pour certaines applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à l'échelle industrielle.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption d'alternatives à base de silicium estimée à 2-4 ans, avec des compromis importants sur les performances qui nécessiteraient une reconception des circuits analogiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Commercialisation des technologies émergentes estimée à 5-8 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts avec des solutions purement à base de silicium, mais compensée par des besoins accrus en optimisation de conception.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction de coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Capteurs -> Holmium - Coefficient: 0.84
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -644,6 +1170,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - Nature Photonics. (2023).["Rare Earth Elements in Modern Photonics."](<https://www.nature.com/articles/s41566-023-01121-3>),
 - [2] - IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. (2022).["Magneto-Optical Materials for Advanced Sensing Applications."](<https://ieeexplore.ieee.org/document/9722806>),
 
+
 ## Capteurs -> Manganese - Coefficient: 0.5
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -670,6 +1197,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - Sensors and Actuators B: Chemical. (2023).["Recent Advances in Materials for Electrochemical Sensing."](<https://www.sciencedirect.com/journal/sensors-and-actuators-b-chemical/vol/382/suppl/C>),
 - [2] - Advanced Functional Materials. (2022).["Beyond Manganese: Emerging Materials for Next-Generation Sensor Technologies."](<https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.202110235>),
 
+
+## Capteurs -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, modifications des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des composants analogiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Capteurs -> Platine - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -697,6 +1251,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - TECHNETEA. (n.d.).["Mesure de température avec sonde Pt100 ou Pt1000."](<https://www.technetea.com/PT100.html>),
 - [3] - WIKA. (2023).["Sonde à résistance (=RTD) ou Thermocouple. Quand les utiliser."](<https://blog.wika.com/fr/general/sonde-resistance-rtd-ou-thermocouple-quand-les-utiliser/>),
 
+
 ## Capteurs -> Samarium - Coefficient: 0.74
 
 ### Faisabilité technique: 0.8
@@ -722,6 +1277,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - Institut National de la Recherche Scientifique. (n.d.).["Rétention de Samarium(III) par des Particules magnétiques."](<http://dspace.univ-tlemcen.dz/bitstream/112/6897/1/Retention_de_Samarium_III_par_des_Particules_magnetiques.pdf>),
 
+
+## Capteurs -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Germanium pour certaines applications spécifiques, matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) pour les applications haute fréquence.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations en termes d'intégration et de compatibilité avec les technologies existantes basées sur le silicium.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, nouveaux composés semiconducteurs, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les chaînes de production existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (2-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## CarteMere -> Aluminium - Coefficient: 0.43
 
 ### Faisabilité technique: 0.4
@@ -747,6 +1329,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
+## CarteMere -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, ajustements des procédés de dopage pour optimiser les caractéristiques électriques.
+    - **Quel impact**: Modification des propriétés électriques des transistors logiques, particulièrement en termes de mobilité des porteurs et de stabilité thermique, potentiellement critique pour les nœuds technologiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de transistors nécessitant moins de dopage, architectures de semiconducteurs avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances logiques acceptables avec des approches innovantes, mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications logiques critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers logiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 10-20% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers logiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## CarteMere -> Argent - Coefficient: 0.61
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -772,6 +1381,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - Proto-Electronics. (n.d.).["Crise du circuit imprimé : délais et prix impactés."](<https://www.proto-electronics.com/fr/blog/crise-du-circuit-imprime-delais-et-prix-impactes>),
 
+
 ## CarteMere -> Cuivre - Coefficient: 0.81
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -798,6 +1408,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - Proto-Electronics. (n.d.).["Crise du circuit imprimé : délais et prix impactés."](<https://www.proto-electronics.com/fr/blog/crise-du-circuit-imprime-delais-et-prix-impactes>),
 - [2] - École de Paris. (n.d.).["Récupérer les métaux précieux dans les cartes électroniques usagées."](<https://ecole.org/l/download-seance-cr/1659>),
 
+
 ## CarteMere -> Etain - Coefficient: 0.6
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -824,6 +1435,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [1] - Proto-Electronics. (n.d.).["Crise du circuit imprimé : délais et prix impactés."](<https://www.proto-electronics.com/fr/blog/crise-du-circuit-imprime-delais-et-prix-impactes>),
 - [2] - OECD. (n.d.).["Guide des marchés publics."](<https://www.oecd.org/content/dam/oecd/fr/publications/reports/2021/01/guide-des-marches-publics_3d6e7be4/779e0021-fr.pdf>),
 
+
+## CarteMere -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium pur avec optimisations de procédés, silicium contraint pour améliorer la mobilité des porteurs, silicium sur isolant (SOI).
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de vitesse et d'efficacité énergétique. Le germanium, utilisé dans les alliages SiGe, améliore significativement la mobilité des porteurs dans les transistors logiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V intégrés sur silicium, structures à canaux multiples, transistors à effet de champ basés sur de nouveaux matériaux.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances par rapport aux technologies actuelles, mais avec des défis majeurs concernant l'intégration dans les procédés de fabrication standard.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des solutions à base de silicium optimisé possible dans un délai de 2-4 ans, mais avec des compromis significatifs sur les performances qui pourraient ralentir la progression de la loi de Moore.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches avancées estimés à 5-8 ans avant adoption dans la production de masse.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts matériaux mais compensée par la nécessité d'optimisations plus poussées des procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec un potentiel de réduction à long terme si l'échelle de production permet des économies.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## CarteMere -> Hafnium - Coefficient: 0.81
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue.
+    - **Quel impact**: Réduction significative des performances des transistors en termes de courants de fuite et d'efficacité énergétique. Limitation des capacités de miniaturisation pour les nœuds technologiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, diélectriques à haute permittivité alternatifs, architectures de transistors innovantes.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances acceptables, mais avec des défis significatifs concernant l'industrialisation et l'intégration dans les architectures de processeurs existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des architectures de transistors.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des technologies avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-30% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## CarteMere -> Palladium - Coefficient: 0.5
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -850,6 +1514,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - IWG Plating. (2024).["Palladium alternative: Palladium-tin electrolyte: Pallega® blend Sn."](<https://iwgplating.com/en/palladium-alternative-palladium-tin-electrolyte/>),
 - [3] - Faster Capital. (n.d.).["Demande de palladium dans l'industrie électronique: une trajectoire ascendante."](<https://fastercapital.com/fr/contenu/Demande-de-palladium-dans-l-industrie-electronique--une-trajectoire-ascendante.html>),
 
+
+## CarteMere -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, ajustements des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des transistors logiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion, avec un impact potentiel sur les performances des dispositifs.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## CarteMere -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) ou le phosphure d'indium (InP) pour certaines applications spécifiques, germanium pour les applications nécessitant une haute mobilité des porteurs.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, technologies basées sur les nanotubes de carbone, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis fondamentaux concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les architectures logiques existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium dans la production de masse des wafers logiques.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## CarteMere -> Tantale - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -875,6 +1592,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
+## Connecteurs -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, modifications des procédés de dopage pour utiliser d'autres éléments.
+    - **Quel impact**: Modification des caractéristiques électriques des semi-conducteurs analogiques, notamment en termes de mobilité des porteurs et de comportement thermique, potentiellement critique pour les applications analogiques de précision.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de semi-conducteurs utilisant d'autres matériaux ou approches de dopage, technologies basées sur des matériaux bidimensionnels.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances analogiques acceptables mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications sensibles.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers analogiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-25% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers analogiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Connecteurs -> Argent - Coefficient: 0.61
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -900,6 +1644,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
 ## Connecteurs -> Beryllium - Coefficient: 0.64
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -925,6 +1670,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
 ## Connecteurs -> Cuivre - Coefficient: 0.81
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -950,6 +1696,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
 ## Connecteurs -> Etain - Coefficient: 0.6
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -975,6 +1722,61 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
+## Connecteurs -> Gallium - Coefficient: 0.47
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Arséniure de silicium (SiAs), phosphure d'indium (InP).
+    - **Quel impact**: Performances inférieures en fréquence (> 30% de perte) et rendement énergétique réduit. Coûts de production augmentés de 15-25% pour compensation des pertes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Semi-conducteurs à base de germanium dopé, composites 2D (ex. graphène/h-BN).
+    - **Quel impact**: Potentiel de performances équivalentes mais nécessite des avancées majeures en ingénierie quantique. Problèmes de stabilité thermique persistants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Transition partielle vers InP réalisable en 1-3 ans pour applications non critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Technologies émergentes estimées à 4-6 ans pour validation industrielle (R&D intensive en cours).
+
+### Impact coût: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Surcoût opérationnel de 20-35% pour maintien des spécifications techniques avec substituts.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements R&D initiaux > 200M€ pour l'industrie européenne. Réduction à 50-70% des coûts à horizon 2030.
+
+### Sources
+- 1] - Ambacher, O. (2018). "GaN technology for RF applications", _Compound Semiconductors Magazine_.
+- 2] - European Commission (2024). "Critical Raw Materials Resilience Dashboard".
+- 3] - Yole Développement (2023). "RF GaN Market Report".
+
+
+## Connecteurs -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium-germanium (SiGe) avec teneur réduite en germanium, silicium dopé fortement pour certaines applications analogiques, matériaux III-V pour des applications spécifiques.
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de mobilité des porteurs de charge et de fonctionnement à haute fréquence. Le germanium offre des avantages uniques pour les circuits analogiques de haute performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Graphène et autres matériaux bidimensionnels, nouveaux composés semiconducteurs.
+    - **Quel impact**: Potentiel de dépasser les performances du germanium pour certaines applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à l'échelle industrielle.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption d'alternatives à base de silicium estimée à 2-4 ans, avec des compromis importants sur les performances qui nécessiteraient une reconception des circuits analogiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Commercialisation des technologies émergentes estimée à 5-8 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts avec des solutions purement à base de silicium, mais compensée par des besoins accrus en optimisation de conception.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction de coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Connecteurs -> Nickel - Coefficient: 0.5
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1000,6 +1802,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
 ## Connecteurs -> Or - Coefficient: 0.64
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -1026,6 +1829,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - IWG Plating. (2024).["Palladium alternative: Palladium-tin electrolyte: Pallega® blend Sn."](<https://iwgplating.com/en/palladium-alternative-palladium-tin-electrolyte/>),
 - [3] - Faster Capital. (n.d.).["Demande de palladium dans l'industrie électronique: une trajectoire ascendante."](<https://fastercapital.com/fr/contenu/Demande-de-palladium-dans-l-industrie-electronique--une-trajectoire-ascendante.html>),
 
+
 ## Connecteurs -> Palladium - Coefficient: 0.5
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1052,6 +1856,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - IWG Plating. (2024).["Palladium alternative: Palladium-tin electrolyte: Pallega® blend Sn."](<https://iwgplating.com/en/palladium-alternative-palladium-tin-electrolyte/>),
 - [3] - Faster Capital. (n.d.).["Demande de palladium dans l'industrie électronique: une trajectoire ascendante."](<https://fastercapital.com/fr/contenu/Demande-de-palladium-dans-l-industrie-electronique--une-trajectoire-ascendante.html>),
 
+
+## Connecteurs -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, modifications des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des composants analogiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## Connecteurs -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Germanium pour certaines applications spécifiques, matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) pour les applications haute fréquence.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations en termes d'intégration et de compatibilité avec les technologies existantes basées sur le silicium.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, nouveaux composés semiconducteurs, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les chaînes de production existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (2-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Connectivite -> Aluminium - Coefficient: 0.47
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1077,6 +1934,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
+## Connectivite -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, modifications des procédés de dopage pour utiliser d'autres éléments.
+    - **Quel impact**: Modification des caractéristiques électriques des semi-conducteurs analogiques, notamment en termes de mobilité des porteurs et de comportement thermique, potentiellement critique pour les applications analogiques de précision.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de semi-conducteurs utilisant d'autres matériaux ou approches de dopage, technologies basées sur des matériaux bidimensionnels.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances analogiques acceptables mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications sensibles.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers analogiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-25% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers analogiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Connectivite -> Beryllium - Coefficient: 0.64
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -1102,6 +1986,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
 ## Connectivite -> Erbium - Coefficient: 0.74
 
 ### Faisabilité technique: 0.8
@@ -1128,6 +2013,87 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [3] - SkinCeuticals. (2021).["Laser Erbium."](<https://www.skinceuticals.fr/laser-erbium.html>),
 - [8] - Encyclo-ecolo.com. (n.d.).["Terres rares."](<https://www.encyclo-ecolo.com/Terres_rares>),
 
+
+## Connectivite -> Gallium - Coefficient: 0.47
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Arséniure de silicium (SiAs), phosphure d'indium (InP).
+    - **Quel impact**: Performances inférieures en fréquence (> 30% de perte) et rendement énergétique réduit. Coûts de production augmentés de 15-25% pour compensation des pertes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Semi-conducteurs à base de germanium dopé, composites 2D (ex. graphène/h-BN).
+    - **Quel impact**: Potentiel de performances équivalentes mais nécessite des avancées majeures en ingénierie quantique. Problèmes de stabilité thermique persistants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Transition partielle vers InP réalisable en 1-3 ans pour applications non critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Technologies émergentes estimées à 4-6 ans pour validation industrielle (R&D intensive en cours).
+
+### Impact coût: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Surcoût opérationnel de 20-35% pour maintien des spécifications techniques avec substituts.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements R&D initiaux > 200M€ pour l'industrie européenne. Réduction à 50-70% des coûts à horizon 2030.
+
+### Sources
+- 1] - Ambacher, O. (2018). "GaN technology for RF applications", _Compound Semiconductors Magazine_.
+- 2] - European Commission (2024). "Critical Raw Materials Resilience Dashboard".
+- 3] - Yole Développement (2023). "RF GaN Market Report".
+
+
+## Connectivite -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium-germanium (SiGe) avec teneur réduite en germanium, silicium dopé fortement pour certaines applications analogiques, matériaux III-V pour des applications spécifiques.
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de mobilité des porteurs de charge et de fonctionnement à haute fréquence. Le germanium offre des avantages uniques pour les circuits analogiques de haute performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Graphène et autres matériaux bidimensionnels, nouveaux composés semiconducteurs.
+    - **Quel impact**: Potentiel de dépasser les performances du germanium pour certaines applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à l'échelle industrielle.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption d'alternatives à base de silicium estimée à 2-4 ans, avec des compromis importants sur les performances qui nécessiteraient une reconception des circuits analogiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Commercialisation des technologies émergentes estimée à 5-8 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts avec des solutions purement à base de silicium, mais compensée par des besoins accrus en optimisation de conception.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction de coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## Connectivite -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, modifications des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des composants analogiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## Connectivite -> Samarium - Coefficient: 0.64
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -1154,6 +2120,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [4] - CORDIS. (n.d.).["De nouveaux matériaux pour remplacer les aimants à ... - CORDIS."](<https://cordis.europa.eu/article/id/181113-new-materials-to-replace-rareearth-magnets/fr>),
 - [8] - Encyclo-ecolo.com. (n.d.).["Terres rares."](<https://www.encyclo-ecolo.com/Terres_rares>),
 
+
+## Connectivite -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Germanium pour certaines applications spécifiques, matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) pour les applications haute fréquence.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations en termes d'intégration et de compatibilité avec les technologies existantes basées sur le silicium.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, nouveaux composés semiconducteurs, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les chaînes de production existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (2-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## CreusetGraphite -> Gallium - Coefficient: 0.37
 
 ### Faisabilité technique: 0.4
@@ -1182,6 +2175,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [9] - Eastcarb. (2024).["Creuset en carbure de silicium ou en graphite – Lequel est le meilleur."](<https://www.eastcarb.com/fr/creuset-en-carbure-de-silicium-ou-en-graphite/>),
 - [10] - Final Materials. (n.d.).["Creuset carbure de silicium - Final Materials."](<https://www.final-materials.com/fr/397-creuset-en-carbure-silicium>),
 
+
 ## CreusetGraphite -> Graphite - Coefficient: 0.44
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1210,6 +2204,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [9] - Eastcarb. (2024).["Creuset en carbure de silicium ou en graphite – Lequel est le meilleur."](<https://www.eastcarb.com/fr/creuset-en-carbure-de-silicium-ou-en-graphite/>),
 - [10] - Final Materials. (n.d.).["Creuset carbure de silicium - Final Materials."](<https://www.final-materials.com/fr/397-creuset-en-carbure-silicium>),
 
+
 ## CreusetQuartz -> Quartz - Coefficient: 0.74
 
 ### Faisabilité technique: 0.8
@@ -1235,6 +2230,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [10] - Final Materials. (n.d.).["Creuset carbure de silicium - Final Materials."](<https://www.final-materials.com/fr/397-creuset-en-carbure-silicium>),
 
+
 ## DisqueDur -> Aluminium - Coefficient: 0.47
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1260,6 +2256,113 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
+## DisqueDur -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, modifications des procédés de dopage pour utiliser d'autres éléments.
+    - **Quel impact**: Modification des caractéristiques électriques des semi-conducteurs analogiques, notamment en termes de mobilité des porteurs et de comportement thermique, potentiellement critique pour les applications analogiques de précision.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de semi-conducteurs utilisant d'autres matériaux ou approches de dopage, technologies basées sur des matériaux bidimensionnels.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances analogiques acceptables mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications sensibles.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers analogiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-25% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers analogiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## DisqueDur -> Gallium - Coefficient: 0.47
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Arséniure de silicium (SiAs), phosphure d'indium (InP).
+    - **Quel impact**: Performances inférieures en fréquence (> 30% de perte) et rendement énergétique réduit. Coûts de production augmentés de 15-25% pour compensation des pertes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Semi-conducteurs à base de germanium dopé, composites 2D (ex. graphène/h-BN).
+    - **Quel impact**: Potentiel de performances équivalentes mais nécessite des avancées majeures en ingénierie quantique. Problèmes de stabilité thermique persistants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Transition partielle vers InP réalisable en 1-3 ans pour applications non critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Technologies émergentes estimées à 4-6 ans pour validation industrielle (R&D intensive en cours).
+
+### Impact coût: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Surcoût opérationnel de 20-35% pour maintien des spécifications techniques avec substituts.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements R&D initiaux > 200M€ pour l'industrie européenne. Réduction à 50-70% des coûts à horizon 2030.
+
+### Sources
+- 1] - Ambacher, O. (2018). "GaN technology for RF applications", _Compound Semiconductors Magazine_.
+- 2] - European Commission (2024). "Critical Raw Materials Resilience Dashboard".
+- 3] - Yole Développement (2023). "RF GaN Market Report".
+
+
+## DisqueDur -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium-germanium (SiGe) avec teneur réduite en germanium, silicium dopé fortement pour certaines applications analogiques, matériaux III-V pour des applications spécifiques.
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de mobilité des porteurs de charge et de fonctionnement à haute fréquence. Le germanium offre des avantages uniques pour les circuits analogiques de haute performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Graphène et autres matériaux bidimensionnels, nouveaux composés semiconducteurs.
+    - **Quel impact**: Potentiel de dépasser les performances du germanium pour certaines applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à l'échelle industrielle.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption d'alternatives à base de silicium estimée à 2-4 ans, avec des compromis importants sur les performances qui nécessiteraient une reconception des circuits analogiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Commercialisation des technologies émergentes estimée à 5-8 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts avec des solutions purement à base de silicium, mais compensée par des besoins accrus en optimisation de conception.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction de coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## DisqueDur -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, modifications des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des composants analogiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## DisqueDur -> Platine - Coefficient: 0.64
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -1285,6 +2388,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [8] - Encyclo-ecolo.com. (n.d.).["Terres rares."](<https://www.encyclo-ecolo.com/Terres_rares>),
 
+
+## DisqueDur -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Germanium pour certaines applications spécifiques, matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) pour les applications haute fréquence.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations en termes d'intégration et de compatibilité avec les technologies existantes basées sur le silicium.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, nouveaux composés semiconducteurs, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les chaînes de production existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (2-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## EcranLCD -> Aluminium - Coefficient: 0.3
 
 ### Faisabilité technique: 0.3
@@ -1310,6 +2440,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
 ## EcranLCD -> Cerium - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -1335,6 +2466,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [8] - Encyclo-ecolo.com. (n.d.).["Terres rares."](<https://www.encyclo-ecolo.com/Terres_rares>),
 
+
 ## EcranLCD -> Europium - Coefficient: 0.81
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -1360,6 +2492,35 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [8] - Encyclo-ecolo.com. (n.d.).["Terres rares."](<https://www.encyclo-ecolo.com/Terres_rares>),
 
+
+## EcranLCD -> Gallium - Coefficient: 0.41
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Phosphure d'indium (InP) pour lasers, silicium cristallin pour photovoltaïque.
+    - **Quel impact**: Rendement lumineux réduit de 40% pour LEDs, efficacité photovoltaïque limitée à 18-22% contre 25-28% pour CIGS.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Pérovskites hybrides, points quantiques InSb.
+    - **Quel impact**: Potentiel théorique supérieur au GaAs mais durée de vie opérationnelle < 1000h dans les prototypes actuels.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption progressive du silicium en 2-4 ans pour applications basse performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - Horizon 5-8 ans pour solutions pérovskites stables (défis de scaling industriel).
+
+### Impact coût: 0.3
+- **Alternative existante**:
+    - Coûts réduits de 10-15% grâce au silicium mais perte de compétitivité technologique.
+- **Alternative théorique**:
+    - Coûts de fabrication initiaux 3x supérieurs, nécessitant des subventions publiques pour adoption.
+
+### Sources
+- 1] - Green, M.A. (2020). "Photovoltaic technologies beyond the silicon era", _Progress in Photovoltaics_.
+- 2] - LED Professional (2023). "Global LED Materials Market Analysis".
+- 3] - Fraunhofer ISE (2024). "CIGS vs Perovskite Solar Cells Roadmap".
+
+
 ## EcranLCD -> Terbium - Coefficient: 0.81
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -1385,6 +2546,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [8] - Encyclo-ecolo.com. (n.d.).["Terres rares."](<https://www.encyclo-ecolo.com/Terres_rares>),
 
+
 ## EcranMiniLED -> Aluminium - Coefficient: 0.5
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1410,6 +2572,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
 ## EcranMiniLED -> Europium - Coefficient: 0.81
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -1435,6 +2598,35 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [8] - Encyclo-ecolo.com. (n.d.).["Terres rares."](<https://www.encyclo-ecolo.com/Terres_rares>),
 
+
+## EcranMiniLED -> Gallium - Coefficient: 0.41
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Phosphure d'indium (InP) pour lasers, silicium cristallin pour photovoltaïque.
+    - **Quel impact**: Rendement lumineux réduit de 40% pour LEDs, efficacité photovoltaïque limitée à 18-22% contre 25-28% pour CIGS.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Pérovskites hybrides, points quantiques InSb.
+    - **Quel impact**: Potentiel théorique supérieur au GaAs mais durée de vie opérationnelle < 1000h dans les prototypes actuels.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption progressive du silicium en 2-4 ans pour applications basse performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - Horizon 5-8 ans pour solutions pérovskites stables (défis de scaling industriel).
+
+### Impact coût: 0.3
+- **Alternative existante**:
+    - Coûts réduits de 10-15% grâce au silicium mais perte de compétitivité technologique.
+- **Alternative théorique**:
+    - Coûts de fabrication initiaux 3x supérieurs, nécessitant des subventions publiques pour adoption.
+
+### Sources
+- 1] - Green, M.A. (2020). "Photovoltaic technologies beyond the silicon era", _Progress in Photovoltaics_.
+- 2] - LED Professional (2023). "Global LED Materials Market Analysis".
+- 3] - Fraunhofer ISE (2024). "CIGS vs Perovskite Solar Cells Roadmap".
+
+
 ## EcranMiniLED -> Terbium - Coefficient: 0.81
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -1460,6 +2652,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [8] - Encyclo-ecolo.com. (n.d.).["Terres rares."](<https://www.encyclo-ecolo.com/Terres_rares>),
 
+
 ## EcranMiniLED -> Yttrium - Coefficient: 0.74
 
 ### Faisabilité technique: 0.8
@@ -1487,6 +2680,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [5] - AVCesar. (n.d.).["Écrans Micro LED, division des coûts de production par dix d'ici 2026."](<https://www.avcesar.com/crans-micro-led-division-des-couts-de-production-par-dix-d-ici-2026-27830>),
 - [8] - L'Éclaireur Fnac. (2021).["Mini-LED : zoom sur la technologie d'écran de l'année 2021."](<https://leclaireur.fnac.com/dossier/2152-mini-led-zoom-sur-la-technologie-decran-de-lannee-2021/>),
 
+
 ## EcranOLED -> Aluminium - Coefficient: 0.4
 
 ### Faisabilité technique: 0.4
@@ -1512,6 +2706,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
 ## EcranOLED -> Cerium - Coefficient: 0.64
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -1538,6 +2733,35 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [4] - Trust My Science. (n.d.).["Le graphène pourrait remplacer un matériau rare dans la confection des écrans tactiles."](<https://trustmyscience.com/graphene-pourrait-remplacer-materiau-rare-confection-ecrans-tactiles/>),
 - [11] - Services Mobiles. (n.d.).["Nouveau matériau conducteur et transparent pour nos écrans."](<https://www.servicesmobiles.fr/nouveau-materiau-conducteur-et-transparent-pour-nos-ecrans-78189>),
 
+
+## EcranOLED -> Gallium - Coefficient: 0.41
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Phosphure d'indium (InP) pour lasers, silicium cristallin pour photovoltaïque.
+    - **Quel impact**: Rendement lumineux réduit de 40% pour LEDs, efficacité photovoltaïque limitée à 18-22% contre 25-28% pour CIGS.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Pérovskites hybrides, points quantiques InSb.
+    - **Quel impact**: Potentiel théorique supérieur au GaAs mais durée de vie opérationnelle < 1000h dans les prototypes actuels.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption progressive du silicium en 2-4 ans pour applications basse performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - Horizon 5-8 ans pour solutions pérovskites stables (défis de scaling industriel).
+
+### Impact coût: 0.3
+- **Alternative existante**:
+    - Coûts réduits de 10-15% grâce au silicium mais perte de compétitivité technologique.
+- **Alternative théorique**:
+    - Coûts de fabrication initiaux 3x supérieurs, nécessitant des subventions publiques pour adoption.
+
+### Sources
+- 1] - Green, M.A. (2020). "Photovoltaic technologies beyond the silicon era", _Progress in Photovoltaics_.
+- 2] - LED Professional (2023). "Global LED Materials Market Analysis".
+- 3] - Fraunhofer ISE (2024). "CIGS vs Perovskite Solar Cells Roadmap".
+
+
 ## EcranOLED -> Yttrium - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -1566,6 +2790,34 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [8] - L'Éclaireur Fnac. (2021).["Mini-LED : zoom sur la technologie d'écran de l'année 2021."](<https://leclaireur.fnac.com/dossier/2152-mini-led-zoom-sur-la-technologie-decran-de-lannee-2021/>),
 - [11] - Services Mobiles. (n.d.).["Nouveau matériau conducteur et transparent pour nos écrans."](<https://www.servicesmobiles.fr/nouveau-materiau-conducteur-et-transparent-pour-nos-ecrans-78189>),
 
+
+## EcranSpecifique -> Gallium - Coefficient: 0.41
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Phosphure d'indium (InP) pour lasers, silicium cristallin pour photovoltaïque.
+    - **Quel impact**: Rendement lumineux réduit de 40% pour LEDs, efficacité photovoltaïque limitée à 18-22% contre 25-28% pour CIGS.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Pérovskites hybrides, points quantiques InSb.
+    - **Quel impact**: Potentiel théorique supérieur au GaAs mais durée de vie opérationnelle < 1000h dans les prototypes actuels.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption progressive du silicium en 2-4 ans pour applications basse performance.
+- **Alternative théorique**:
+    - Horizon 5-8 ans pour solutions pérovskites stables (défis de scaling industriel).
+
+### Impact coût: 0.3
+- **Alternative existante**:
+    - Coûts réduits de 10-15% grâce au silicium mais perte de compétitivité technologique.
+- **Alternative théorique**:
+    - Coûts de fabrication initiaux 3x supérieurs, nécessitant des subventions publiques pour adoption.
+
+### Sources
+- 1] - Green, M.A. (2020). "Photovoltaic technologies beyond the silicon era", _Progress in Photovoltaics_.
+- 2] - LED Professional (2023). "Global LED Materials Market Analysis".
+- 3] - Fraunhofer ISE (2024). "CIGS vs Perovskite Solar Cells Roadmap".
+
 ## MemoireRAM -> Aluminium - Coefficient: 0.33
 
 ### Faisabilité technique: 0.3
@@ -1591,6 +2843,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
+## MemoireRAM -> Hafnium - Coefficient: 0.8
+
+### Faisabilité technique: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue, oxydes de terres rares pour certaines applications.
+    - **Quel impact**: Réduction significative de la densité de stockage et augmentation des courants de fuite. Le hafnium est particulièrement crucial dans les technologies de mémoire avancées pour sa haute constante diélectrique et sa compatibilité avec les procédés de fabrication existants.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, architectures de mémoire alternatives comme les mémoires résistives ou magnétiques.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances avec des approches radicalement différentes, mais avec des défis majeurs concernant l'industrialisation et la fiabilité à long terme.
+
+### Délai d'implémentation: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des cellules mémoire.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des technologies mémoire avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 20-40% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies mémoire, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## MemoireRAM -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V pour certaines applications spécifiques, germanium pour améliorer certaines performances, substrats alternatifs comme le verre ou les polymères pour des applications de niche.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes de production de mémoires.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Technologies mémoire alternatives ne nécessitant pas de silicium comme substrat, mémoires organiques ou moléculaires, approches de stockage de données non conventionnelles.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement différentes ouvrant de nouvelles possibilités d'application, mais avec des défis fondamentaux concernant la densité de stockage, la vitesse, l'endurance et la rétention des données.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications spécifiques possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium comme substrat de base non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies mémoire radicalement nouvelles estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer les technologies basées sur le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouvelles approches, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## MemoireRAM -> Tantale - Coefficient: 0.71
 
 ### Faisabilité technique: 0.8
@@ -1616,6 +2921,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
 ## ProcedeEUV -> Hafnium - Coefficient: 0.9
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -1641,6 +2947,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
 ## ProcesseurARM -> Aluminium - Coefficient: 0.47
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1666,6 +2973,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
+## ProcesseurARM -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, ajustements des procédés de dopage pour optimiser les caractéristiques électriques.
+    - **Quel impact**: Modification des propriétés électriques des transistors logiques, particulièrement en termes de mobilité des porteurs et de stabilité thermique, potentiellement critique pour les nœuds technologiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de transistors nécessitant moins de dopage, architectures de semiconducteurs avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances logiques acceptables avec des approches innovantes, mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications logiques critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers logiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 10-20% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers logiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## ProcesseurARM -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium pur avec optimisations de procédés, silicium contraint pour améliorer la mobilité des porteurs, silicium sur isolant (SOI).
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de vitesse et d'efficacité énergétique. Le germanium, utilisé dans les alliages SiGe, améliore significativement la mobilité des porteurs dans les transistors logiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V intégrés sur silicium, structures à canaux multiples, transistors à effet de champ basés sur de nouveaux matériaux.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances par rapport aux technologies actuelles, mais avec des défis majeurs concernant l'intégration dans les procédés de fabrication standard.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des solutions à base de silicium optimisé possible dans un délai de 2-4 ans, mais avec des compromis significatifs sur les performances qui pourraient ralentir la progression de la loi de Moore.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches avancées estimés à 5-8 ans avant adoption dans la production de masse.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts matériaux mais compensée par la nécessité d'optimisations plus poussées des procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec un potentiel de réduction à long terme si l'échelle de production permet des économies.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurARM -> Hafnium - Coefficient: 0.8
 
 ### Faisabilité technique: 0.8
@@ -1691,6 +3051,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
+## ProcesseurARM -> Hafnium - Coefficient: 0.81
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue.
+    - **Quel impact**: Réduction significative des performances des transistors en termes de courants de fuite et d'efficacité énergétique. Limitation des capacités de miniaturisation pour les nœuds technologiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, diélectriques à haute permittivité alternatifs, architectures de transistors innovantes.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances acceptables, mais avec des défis significatifs concernant l'industrialisation et l'intégration dans les architectures de processeurs existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des architectures de transistors.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des technologies avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-30% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurARM -> Or - Coefficient: 0.6
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -1716,6 +3103,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [4] - Trust My Science. (n.d.).["Le graphène pourrait remplacer un matériau rare dans la confection des écrans tactiles."](<https://trustmyscience.com/graphene-pourrait-remplacer-materiau-rare-confection-ecrans-tactiles/>),
 
+
 ## ProcesseurARM -> Palladium - Coefficient: 0.5
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1741,6 +3129,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [2] - IWG Plating. (2024).["Palladium alternative: Palladium-tin electrolyte: Pallega® blend Sn."](<https://iwgplating.com/en/palladium-alternative-palladium-tin-electrolyte/>),
 
+
+## ProcesseurARM -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, ajustements des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des transistors logiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion, avec un impact potentiel sur les performances des dispositifs.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurARM -> Scandium - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -1766,6 +3181,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - ADEME. (2017).["L'épuisement des métaux et minéraux: faut-il s'inquiéter?"](<https://www.mineralinfo.fr/sites/default/files/documents/2021-01/ademe_epuisement-metaux-mineraux-201706-fiche-techniquev2.pdf>),
 
+
+## ProcesseurARM -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) ou le phosphure d'indium (InP) pour certaines applications spécifiques, germanium pour les applications nécessitant une haute mobilité des porteurs.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, technologies basées sur les nanotubes de carbone, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis fondamentaux concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les architectures logiques existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium dans la production de masse des wafers logiques.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurARM -> Tungstene - Coefficient: 0.6
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -1791,6 +3233,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [1] - Kindle-Tech. (2024).["Par Quoi Remplacer Le Carbure De Tungstène ? Explorez Les alternatives."](<https://fr.kindle-tech.com/faqs/what-is-a-substitute-for-tungsten-carbide>),
 
+
 ## ProcesseurASIC -> Aluminium - Coefficient: 0.47
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1816,6 +3259,85 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
+## ProcesseurASIC -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, ajustements des procédés de dopage pour optimiser les caractéristiques électriques.
+    - **Quel impact**: Modification des propriétés électriques des transistors logiques, particulièrement en termes de mobilité des porteurs et de stabilité thermique, potentiellement critique pour les nœuds technologiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de transistors nécessitant moins de dopage, architectures de semiconducteurs avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances logiques acceptables avec des approches innovantes, mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications logiques critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers logiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 10-20% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers logiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## ProcesseurASIC -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium pur avec optimisations de procédés, silicium contraint pour améliorer la mobilité des porteurs, silicium sur isolant (SOI).
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de vitesse et d'efficacité énergétique. Le germanium, utilisé dans les alliages SiGe, améliore significativement la mobilité des porteurs dans les transistors logiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V intégrés sur silicium, structures à canaux multiples, transistors à effet de champ basés sur de nouveaux matériaux.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances par rapport aux technologies actuelles, mais avec des défis majeurs concernant l'intégration dans les procédés de fabrication standard.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des solutions à base de silicium optimisé possible dans un délai de 2-4 ans, mais avec des compromis significatifs sur les performances qui pourraient ralentir la progression de la loi de Moore.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches avancées estimés à 5-8 ans avant adoption dans la production de masse.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts matériaux mais compensée par la nécessité d'optimisations plus poussées des procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec un potentiel de réduction à long terme si l'échelle de production permet des économies.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## ProcesseurASIC -> Hafnium - Coefficient: 0.81
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue.
+    - **Quel impact**: Réduction significative des performances des transistors en termes de courants de fuite et d'efficacité énergétique. Limitation des capacités de miniaturisation pour les nœuds technologiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, diélectriques à haute permittivité alternatifs, architectures de transistors innovantes.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances acceptables, mais avec des défis significatifs concernant l'industrialisation et l'intégration dans les architectures de processeurs existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des architectures de transistors.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des technologies avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-30% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurASIC -> Hafnium - Coefficient: 0.84
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -1842,6 +3364,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - Lemagit. (n.d.).["Mémoires non volatiles (2/2) : Les successeurs potentiels de la mémoire Flash."](<https://www.lemagit.fr/conseil/Memoires-non-volatiles-2-2-Les-successeurs-potentiels-de-la-memoire-Flash>),
 - [5] - France-Science. (n.d.).["Sciences Physiques."](<https://www.france-science.com/IMG/pdf/smm04_088.pdf>),
 
+
 ## ProcesseurASIC -> Or - Coefficient: 0.6
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -1868,6 +3391,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [3] - Theses.fr. (2011).["Fiabilité des technologies CMOS fortement sub-microniques."](<https://theses.fr/2011AIX10101.pdf>),
 - 4] - PROMES CNRS. (n.d.).https://www.promes.cnrs.fr/wp-content/uploads/2021/03/rapport_Promes_2010_2012.pdf
 
+
+## ProcesseurASIC -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, ajustements des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des transistors logiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion, avec un impact potentiel sur les performances des dispositifs.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurASIC -> Scandium - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -1894,6 +3444,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [3] - Theses.fr. (2011).["Fiabilité des technologies CMOS fortement sub-microniques."](<https://theses.fr/2011AIX10101.pdf>),
 - 4] - PROMES CNRS. (n.d.).https://www.promes.cnrs.fr/wp-content/uploads/2021/03/rapport_Promes_2010_2012.pdf
 
+
+## ProcesseurASIC -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) ou le phosphure d'indium (InP) pour certaines applications spécifiques, germanium pour les applications nécessitant une haute mobilité des porteurs.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, technologies basées sur les nanotubes de carbone, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis fondamentaux concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les architectures logiques existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium dans la production de masse des wafers logiques.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurASIC -> Tungstene - Coefficient: 0.6
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -1920,6 +3497,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [3] - Theses.fr. (2011).["Fiabilité des technologies CMOS fortement sub-microniques."](<https://theses.fr/2011AIX10101.pdf>),
 - 4] - PROMES CNRS. (n.d.).https://www.promes.cnrs.fr/wp-content/uploads/2021/03/rapport_Promes_2010_2012.pdf
 
+
 ## ProcesseurX86 -> Aluminium - Coefficient: 0.5
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -1945,6 +3523,85 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 
 
+
+## ProcesseurX86 -> Antimoine - Coefficient: 0.6
+
+### Faisabilité technique: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, ajustements des procédés de dopage pour optimiser les caractéristiques électriques.
+    - **Quel impact**: Modification des propriétés électriques des transistors logiques, particulièrement en termes de mobilité des porteurs et de stabilité thermique, potentiellement critique pour les nœuds technologiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de transistors nécessitant moins de dopage, architectures de semiconducteurs avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances logiques acceptables avec des approches innovantes, mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
+
+### Délai d'implémentation: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications logiques critiques.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers logiques.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 10-20% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers logiques.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## ProcesseurX86 -> Germanium - Coefficient: 0.64
+
+### Faisabilité technique: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Silicium pur avec optimisations de procédés, silicium contraint pour améliorer la mobilité des porteurs, silicium sur isolant (SOI).
+    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de vitesse et d'efficacité énergétique. Le germanium, utilisé dans les alliages SiGe, améliore significativement la mobilité des porteurs dans les transistors logiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V intégrés sur silicium, structures à canaux multiples, transistors à effet de champ basés sur de nouveaux matériaux.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances par rapport aux technologies actuelles, mais avec des défis majeurs concernant l'intégration dans les procédés de fabrication standard.
+
+### Délai d'implémentation: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des solutions à base de silicium optimisé possible dans un délai de 2-4 ans, mais avec des compromis significatifs sur les performances qui pourraient ralentir la progression de la loi de Moore.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et industrialisation des approches avancées estimés à 5-8 ans avant adoption dans la production de masse.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts matériaux mais compensée par la nécessité d'optimisations plus poussées des procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec un potentiel de réduction à long terme si l'échelle de production permet des économies.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## ProcesseurX86 -> Hafnium - Coefficient: 0.81
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue.
+    - **Quel impact**: Réduction significative des performances des transistors en termes de courants de fuite et d'efficacité énergétique. Limitation des capacités de miniaturisation pour les nœuds technologiques avancés.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, diélectriques à haute permittivité alternatifs, architectures de transistors innovantes.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances acceptables, mais avec des défis significatifs concernant l'industrialisation et l'intégration dans les architectures de processeurs existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des architectures de transistors.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des technologies avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.7
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 15-30% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurX86 -> Hafnium - Coefficient: 0.84
 
 ### Faisabilité technique: 0.9
@@ -1971,6 +3628,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - Lemagit. (n.d.).["Mémoires non volatiles (2/2) : Les successeurs potentiels de la mémoire Flash."](<https://www.lemagit.fr/conseil/Memoires-non-volatiles-2-2-Les-successeurs-potentiels-de-la-memoire-Flash>),
 - [5] - France-Science. (n.d.).["Sciences Physiques."](<https://www.france-science.com/IMG/pdf/smm04_088.pdf>),
 
+
 ## ProcesseurX86 -> Or - Coefficient: 0.6
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -1997,6 +3655,7 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [3] - Theses.fr. (2011).["Fiabilité des technologies CMOS fortement sub-microniques."](<https://theses.fr/2011AIX10101.pdf>),
 - 4] - PROMES CNRS. (n.d.).https://www.promes.cnrs.fr/wp-content/uploads/2021/03/rapport_Promes_2010_2012.pdf
 
+
 ## ProcesseurX86 -> Palladium - Coefficient: 0.5
 
 ### Faisabilité technique: 0.5
@@ -2023,6 +3682,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [3] - Theses.fr. (2011).["Fiabilité des technologies CMOS fortement sub-microniques."](<https://theses.fr/2011AIX10101.pdf>),
 - 4] - PROMES CNRS. (n.d.).https://www.promes.cnrs.fr/wp-content/uploads/2021/03/rapport_Promes_2010_2012.pdf--
 
+
+## ProcesseurX86 -> Phosphore - Coefficient: 0.5
+
+### Faisabilité technique: 0.5
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, ajustements des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
+    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des transistors logiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion, avec un impact potentiel sur les performances des dispositifs.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
+
+### Délai d'implémentation: 0.4
+- **Alternative existante**:
+    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
+
+### Impact coût: 0.6
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurX86 -> Scandium - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -2049,6 +3735,33 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [3] - Theses.fr. (2011).["Fiabilité des technologies CMOS fortement sub-microniques."](<https://theses.fr/2011AIX10101.pdf>),
 - 4] - PROMES CNRS. (n.d.).https://www.promes.cnrs.fr/wp-content/uploads/2021/03/rapport_Promes_2010_2012.pdf
 
+
+## ProcesseurX86 -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) ou le phosphure d'indium (InP) pour certaines applications spécifiques, germanium pour les applications nécessitant une haute mobilité des porteurs.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, technologies basées sur les nanotubes de carbone, approches hybrides combinant différents matériaux.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis fondamentaux concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les architectures logiques existantes.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium dans la production de masse des wafers logiques.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## ProcesseurX86 -> Tungstene - Coefficient: 0.6
 
 ### Faisabilité technique: 0.6
@@ -2075,6 +3788,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [3] - Theses.fr. (2011).["Fiabilité des technologies CMOS fortement sub-microniques."](<https://theses.fr/2011AIX10101.pdf>),
 - 4] - PROMES CNRS. (n.d.).https://www.promes.cnrs.fr/wp-content/uploads/2021/03/rapport_Promes_2010_2012.pdf
 
+
+## SSD25 -> Hafnium - Coefficient: 0.8
+
+### Faisabilité technique: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue, oxydes de terres rares pour certaines applications.
+    - **Quel impact**: Réduction significative de la densité de stockage et augmentation des courants de fuite. Le hafnium est particulièrement crucial dans les technologies de mémoire avancées pour sa haute constante diélectrique et sa compatibilité avec les procédés de fabrication existants.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, architectures de mémoire alternatives comme les mémoires résistives ou magnétiques.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances avec des approches radicalement différentes, mais avec des défis majeurs concernant l'industrialisation et la fiabilité à long terme.
+
+### Délai d'implémentation: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des cellules mémoire.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des technologies mémoire avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 20-40% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies mémoire, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## SSD25 -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V pour certaines applications spécifiques, germanium pour améliorer certaines performances, substrats alternatifs comme le verre ou les polymères pour des applications de niche.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes de production de mémoires.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Technologies mémoire alternatives ne nécessitant pas de silicium comme substrat, mémoires organiques ou moléculaires, approches de stockage de données non conventionnelles.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement différentes ouvrant de nouvelles possibilités d'application, mais avec des défis fondamentaux concernant la densité de stockage, la vitesse, l'endurance et la rétention des données.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications spécifiques possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium comme substrat de base non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies mémoire radicalement nouvelles estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer les technologies basées sur le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouvelles approches, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## SSD25 -> Tantale - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -2101,6 +3867,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - Lemagit. (n.d.).["Mémoires non volatiles (2/2) : Les successeurs potentiels de la mémoire Flash."](<https://www.lemagit.fr/conseil/Memoires-non-volatiles-2-2-Les-successeurs-potentiels-de-la-memoire-Flash>),
 - [3] - Theses.fr. (2011).["Fiabilité des technologies CMOS fortement sub-microniques."](<https://theses.fr/2011AIX10101.pdf>),
 
+
+## SSDM2 -> Hafnium - Coefficient: 0.8
+
+### Faisabilité technique: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue, oxydes de terres rares pour certaines applications.
+    - **Quel impact**: Réduction significative de la densité de stockage et augmentation des courants de fuite. Le hafnium est particulièrement crucial dans les technologies de mémoire avancées pour sa haute constante diélectrique et sa compatibilité avec les procédés de fabrication existants.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, architectures de mémoire alternatives comme les mémoires résistives ou magnétiques.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances avec des approches radicalement différentes, mais avec des défis majeurs concernant l'industrialisation et la fiabilité à long terme.
+
+### Délai d'implémentation: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des cellules mémoire.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des technologies mémoire avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 20-40% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies mémoire, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## SSDM2 -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V pour certaines applications spécifiques, germanium pour améliorer certaines performances, substrats alternatifs comme le verre ou les polymères pour des applications de niche.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes de production de mémoires.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Technologies mémoire alternatives ne nécessitant pas de silicium comme substrat, mémoires organiques ou moléculaires, approches de stockage de données non conventionnelles.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement différentes ouvrant de nouvelles possibilités d'application, mais avec des défis fondamentaux concernant la densité de stockage, la vitesse, l'endurance et la rétention des données.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications spécifiques possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium comme substrat de base non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies mémoire radicalement nouvelles estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer les technologies basées sur le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouvelles approches, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
 ## SSDM2 -> Tantale - Coefficient: 0.7
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -2127,6 +3946,59 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 - [2] - ES France. (2024).["SSD M2, NAND, de 256Gb à 2Tb : MTE712P & MTE712P-I."](<https://www.es-france.com/19010-ssd-m2-nand-de-256gb-a-2tb-mte712p-mte712p-i.html>),
 - [4] - Techniques de l'Ingénieur. (n.d.).["Le tantale, un élément exceptionnel mais controversé."](<https://www.techniques-ingenieur.fr/actualite/articles/le-tantale-un-element-exceptionnel-mais-controverse-112482/>),
 
+
+## StockageEMMC -> Hafnium - Coefficient: 0.8
+
+### Faisabilité technique: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue, oxydes de terres rares pour certaines applications.
+    - **Quel impact**: Réduction significative de la densité de stockage et augmentation des courants de fuite. Le hafnium est particulièrement crucial dans les technologies de mémoire avancées pour sa haute constante diélectrique et sa compatibilité avec les procédés de fabrication existants.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, architectures de mémoire alternatives comme les mémoires résistives ou magnétiques.
+    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances avec des approches radicalement différentes, mais avec des défis majeurs concernant l'industrialisation et la fiabilité à long terme.
+
+### Délai d'implémentation: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des cellules mémoire.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et validation des technologies mémoire avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.8
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation potentielle des coûts de 20-40% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies mémoire, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
+
+
+## StockageEMMC -> Silicium - Coefficient: 0.9
+
+### Faisabilité technique: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - **Lesquelles**: Matériaux III-V pour certaines applications spécifiques, germanium pour améliorer certaines performances, substrats alternatifs comme le verre ou les polymères pour des applications de niche.
+    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes de production de mémoires.
+- **Alternative théorique**:
+    - **Lesquelles**: Technologies mémoire alternatives ne nécessitant pas de silicium comme substrat, mémoires organiques ou moléculaires, approches de stockage de données non conventionnelles.
+    - **Quel impact**: Performances potentiellement différentes ouvrant de nouvelles possibilités d'application, mais avec des défis fondamentaux concernant la densité de stockage, la vitesse, l'endurance et la rétention des données.
+
+### Délai d'implémentation: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications spécifiques possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium comme substrat de base non envisageable à court ou moyen terme.
+- **Alternative théorique**:
+    - Développement et commercialisation des technologies mémoire radicalement nouvelles estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer les technologies basées sur le silicium à grande échelle.
+
+### Impact coût: 0.9
+- **Alternative existante**:
+    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
+- **Alternative théorique**:
+    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouvelles approches, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
+
+### Sources
+- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
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 ## StockageEMMC -> Tantale - Coefficient: 0.64
 
 ### Faisabilité technique: 0.7
@@ -2152,416 +4024,6 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 ### Sources
 - [4] - Techniques de l'Ingénieur. (n.d.).["Le tantale, un élément exceptionnel mais controversé."](<https://www.techniques-ingenieur.fr/actualite/articles/le-tantale-un-element-exceptionnel-mais-controverse-112482/>),
 
-## WaferAnalogique -> Antimoine - Coefficient: 0.6
-
-  Batterie -> WaferAnalogique [];
-  Audio -> WaferAnalogique [];
-  Connecteurs -> WaferAnalogique [];
-  Camera -> WaferAnalogique [];
-  Connectivite -> WaferAnalogique [];
-  Capteurs -> WaferAnalogique [];
-  DisqueDur -> WaferAnalogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.6
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, modifications des procédés de dopage pour utiliser d'autres éléments.
-    - **Quel impact**: Modification des caractéristiques électriques des semi-conducteurs analogiques, notamment en termes de mobilité des porteurs et de comportement thermique, potentiellement critique pour les applications analogiques de précision.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de semi-conducteurs utilisant d'autres matériaux ou approches de dopage, technologies basées sur des matériaux bidimensionnels.
-    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances analogiques acceptables mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
-
-### Délai d'implémentation: 0.5
-- **Alternative existante**:
-    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications sensibles.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers analogiques.
-
-### Impact coût: 0.7
-- **Alternative existante**:
-    - Augmentation potentielle des coûts de 15-25% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers analogiques.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferAnalogique -> Gallium - Coefficient: 0.47
-
-  Batterie -> WaferAnalogique [];
-  Audio -> WaferAnalogique [];
-  Connecteurs -> WaferAnalogique [];
-  Camera -> WaferAnalogique [];
-  Connectivite -> WaferAnalogique [];
-  Capteurs -> WaferAnalogique [];
-  DisqueDur -> WaferAnalogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.5
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Arséniure de silicium (SiAs), phosphure d'indium (InP).
-    - **Quel impact**: Performances inférieures en fréquence (> 30% de perte) et rendement énergétique réduit. Coûts de production augmentés de 15-25% pour compensation des pertes.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Semi-conducteurs à base de germanium dopé, composites 2D (ex. graphène/h-BN).
-    - **Quel impact**: Potentiel de performances équivalentes mais nécessite des avancées majeures en ingénierie quantique. Problèmes de stabilité thermique persistants.
-
-### Délai d'implémentation: 0.4
-- **Alternative existante**:
-    - Transition partielle vers InP réalisable en 1-3 ans pour applications non critiques.
-- **Alternative théorique**:
-    - Technologies émergentes estimées à 4-6 ans pour validation industrielle (R&D intensive en cours).
-
-### Impact coût: 0.5
-- **Alternative existante**:
-    - Surcoût opérationnel de 20-35% pour maintien des spécifications techniques avec substituts.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements R&D initiaux > 200M€ pour l'industrie européenne. Réduction à 50-70% des coûts à horizon 2030.
-
-### Sources
-- 1] - Ambacher, O. (2018). "GaN technology for RF applications", _Compound Semiconductors Magazine_.
-- 2] - European Commission (2024). "Critical Raw Materials Resilience Dashboard".
-- 3] - Yole Développement (2023). "RF GaN Market Report".
-
-## WaferAnalogique -> Germanium - Coefficient: 0.64
-
-  Batterie -> WaferAnalogique [];
-  Audio -> WaferAnalogique [];
-  Connecteurs -> WaferAnalogique [];
-  Camera -> WaferAnalogique [];
-  Connectivite -> WaferAnalogique [];
-  Capteurs -> WaferAnalogique [];
-  DisqueDur -> WaferAnalogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.7
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Silicium-germanium (SiGe) avec teneur réduite en germanium, silicium dopé fortement pour certaines applications analogiques, matériaux III-V pour des applications spécifiques.
-    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de mobilité des porteurs de charge et de fonctionnement à haute fréquence. Le germanium offre des avantages uniques pour les circuits analogiques de haute performance.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Graphène et autres matériaux bidimensionnels, nouveaux composés semiconducteurs.
-    - **Quel impact**: Potentiel de dépasser les performances du germanium pour certaines applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à l'échelle industrielle.
-
-### Délai d'implémentation: 0.6
-- **Alternative existante**:
-    - Adoption d'alternatives à base de silicium estimée à 2-4 ans, avec des compromis importants sur les performances qui nécessiteraient une reconception des circuits analogiques.
-- **Alternative théorique**:
-    - Commercialisation des technologies émergentes estimée à 5-8 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
-
-### Impact coût: 0.6
-- **Alternative existante**:
-    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts avec des solutions purement à base de silicium, mais compensée par des besoins accrus en optimisation de conception.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction de coûts incertaine à moyen terme.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferAnalogique -> Phosphore - Coefficient: 0.5
-
-  Batterie -> WaferAnalogique [];
-  Audio -> WaferAnalogique [];
-  Connecteurs -> WaferAnalogique [];
-  Camera -> WaferAnalogique [];
-  Connectivite -> WaferAnalogique [];
-  Capteurs -> WaferAnalogique [];
-  DisqueDur -> WaferAnalogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.5
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, modifications des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
-    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des composants analogiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
-    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
-
-### Délai d'implémentation: 0.4
-- **Alternative existante**:
-    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
-
-### Impact coût: 0.6
-- **Alternative existante**:
-    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferAnalogique -> Silicium - Coefficient: 0.9
-
-  Batterie -> WaferAnalogique [];
-  Audio -> WaferAnalogique [];
-  Connecteurs -> WaferAnalogique [];
-  Camera -> WaferAnalogique [];
-  Connectivite -> WaferAnalogique [];
-  Capteurs -> WaferAnalogique [];
-  DisqueDur -> WaferAnalogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Germanium pour certaines applications spécifiques, matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) pour les applications haute fréquence.
-    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations en termes d'intégration et de compatibilité avec les technologies existantes basées sur le silicium.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, nouveaux composés semiconducteurs, approches hybrides combinant différents matériaux.
-    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis majeurs concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les chaînes de production existantes.
-
-### Délai d'implémentation: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium à grande échelle.
-
-### Impact coût: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - Augmentation drastique des coûts (2-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferLogique -> Antimoine - Coefficient: 0.6
-
-  CarteMere -> WaferLogique [];
-  ProcesseurASIC -> WaferLogique [];
-  ProcesseurARM -> WaferLogique [];
-  ProcesseurX86 -> WaferLogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.6
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou le phosphore, ajustements des procédés de dopage pour optimiser les caractéristiques électriques.
-    - **Quel impact**: Modification des propriétés électriques des transistors logiques, particulièrement en termes de mobilité des porteurs et de stabilité thermique, potentiellement critique pour les nœuds technologiques avancés.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Nouvelles structures de transistors nécessitant moins de dopage, architectures de semiconducteurs avancées.
-    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances logiques acceptables avec des approches innovantes, mais avec des défis concernant l'intégration dans les procédés de fabrication existants.
-
-### Délai d'implémentation: 0.5
-- **Alternative existante**:
-    - Transition vers des profils de dopage alternatifs possible dans un délai de 2-4 ans, incluant les phases de qualification et de validation pour les applications logiques critiques.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et industrialisation des approches alternatives estimés à 4-7 ans avant adoption à grande échelle dans la production de wafers logiques.
-
-### Impact coût: 0.7
-- **Alternative existante**:
-    - Augmentation potentielle des coûts de 10-20% avec les dopants alternatifs, principalement due à des besoins accrus en optimisation des procédés et en contrôle de qualité.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements initiaux significatifs pour développer de nouvelles approches, avec une incertitude sur l'impact à long terme sur les coûts de production des wafers logiques.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferLogique -> Germanium - Coefficient: 0.64
-
-  CarteMere -> WaferLogique [];
-  ProcesseurASIC -> WaferLogique [];
-  ProcesseurARM -> WaferLogique [];
-  ProcesseurX86 -> WaferLogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.7
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Silicium pur avec optimisations de procédés, silicium contraint pour améliorer la mobilité des porteurs, silicium sur isolant (SOI).
-    - **Quel impact**: Réduction des performances en termes de vitesse et d'efficacité énergétique. Le germanium, utilisé dans les alliages SiGe, améliore significativement la mobilité des porteurs dans les transistors logiques avancés.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Matériaux III-V intégrés sur silicium, structures à canaux multiples, transistors à effet de champ basés sur de nouveaux matériaux.
-    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances par rapport aux technologies actuelles, mais avec des défis majeurs concernant l'intégration dans les procédés de fabrication standard.
-
-### Délai d'implémentation: 0.6
-- **Alternative existante**:
-    - Transition vers des solutions à base de silicium optimisé possible dans un délai de 2-4 ans, mais avec des compromis significatifs sur les performances qui pourraient ralentir la progression de la loi de Moore.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et industrialisation des approches avancées estimés à 5-8 ans avant adoption dans la production de masse.
-
-### Impact coût: 0.6
-- **Alternative existante**:
-    - Impact variable selon l'alternative : potentielle réduction des coûts matériaux mais compensée par la nécessité d'optimisations plus poussées des procédés.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements initiaux élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec un potentiel de réduction à long terme si l'échelle de production permet des économies.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferLogique -> Hafnium - Coefficient: 0.81
-
-  CarteMere -> WaferLogique [];
-  ProcesseurASIC -> WaferLogique [];
-  ProcesseurARM -> WaferLogique [];
-  ProcesseurX86 -> WaferLogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue.
-    - **Quel impact**: Réduction significative des performances des transistors en termes de courants de fuite et d'efficacité énergétique. Limitation des capacités de miniaturisation pour les nœuds technologiques avancés.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, diélectriques à haute permittivité alternatifs, architectures de transistors innovantes.
-    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir des performances acceptables, mais avec des défis significatifs concernant l'industrialisation et l'intégration dans les architectures de processeurs existantes.
-
-### Délai d'implémentation: 0.8
-- **Alternative existante**:
-    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des architectures de transistors.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et validation des technologies avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
-
-### Impact coût: 0.7
-- **Alternative existante**:
-    - Augmentation potentielle des coûts de 15-30% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferLogique -> Phosphore - Coefficient: 0.5
-
-  CarteMere -> WaferLogique [];
-  ProcesseurASIC -> WaferLogique [];
-  ProcesseurARM -> WaferLogique [];
-  ProcesseurX86 -> WaferLogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.5
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Autres dopants du groupe V comme l'arsenic ou l'antimoine, ajustements des procédés de dopage pour optimiser l'utilisation du phosphore.
-    - **Quel impact**: Modification modérée des caractéristiques électriques des transistors logiques, notamment en termes de niveaux de dopage et de profils de diffusion, avec un impact potentiel sur les performances des dispositifs.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Nouvelles approches de dopage utilisant des composés moléculaires, techniques de dopage sélectif avancées.
-    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances tout en réduisant la dépendance au phosphore élémentaire.
-
-### Délai d'implémentation: 0.4
-- **Alternative existante**:
-    - Substitution par d'autres dopants possible dans un délai de 1-3 ans, les techniques de dopage alternatives étant déjà en développement dans l'industrie des semi-conducteurs.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et validation des nouvelles approches de dopage estimés à 3-5 ans avant adoption industrielle.
-
-### Impact coût: 0.6
-- **Alternative existante**:
-    - Augmentation limitée des coûts (5-15%) pour les dopants alternatifs, principalement due à des ajustements de procédés.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements initiaux modérés pour les nouvelles techniques de dopage, avec un potentiel de réduction des coûts à moyen terme grâce à l'amélioration de l'efficacité des procédés.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferLogique -> Silicium - Coefficient: 0.9
-
-  CarteMere -> WaferLogique [];
-  ProcesseurASIC -> WaferLogique [];
-  ProcesseurARM -> WaferLogique [];
-  ProcesseurX86 -> WaferLogique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Matériaux III-V comme l'arséniure de gallium (GaAs) ou le phosphure d'indium (InP) pour certaines applications spécifiques, germanium pour les applications nécessitant une haute mobilité des porteurs.
-    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Matériaux bidimensionnels comme le graphène, technologies basées sur les nanotubes de carbone, approches hybrides combinant différents matériaux.
-    - **Quel impact**: Performances potentiellement supérieures pour des applications spécifiques, mais avec des défis fondamentaux concernant la fabrication à grande échelle et l'intégration dans les architectures logiques existantes.
-
-### Délai d'implémentation: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications de niche possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium non envisageable à court ou moyen terme.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et commercialisation des technologies alternatives estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer le silicium dans la production de masse des wafers logiques.
-
-### Impact coût: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouveaux matériaux, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferMemoire -> Hafnium - Coefficient: 0.8
-
-  MemoireRAM -> WaferMemoire [];
-  StockageEMMC -> WaferMemoire [];
-  SSDM2 -> WaferMemoire [];
-  SSD25 -> WaferMemoire [];
-
-### Faisabilité technique: 0.8
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Diélectriques à base de zirconium, oxydes d'aluminium (Al2O3), silice (SiO2) avec épaisseur accrue, oxydes de terres rares pour certaines applications.
-    - **Quel impact**: Réduction significative de la densité de stockage et augmentation des courants de fuite. Le hafnium est particulièrement crucial dans les technologies de mémoire avancées pour sa haute constante diélectrique et sa compatibilité avec les procédés de fabrication existants.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Nouveaux matériaux diélectriques nanostructurés, architectures de mémoire alternatives comme les mémoires résistives ou magnétiques.
-    - **Quel impact**: Potentiel de maintenir ou d'améliorer les performances avec des approches radicalement différentes, mais avec des défis majeurs concernant l'industrialisation et la fiabilité à long terme.
-
-### Délai d'implémentation: 0.8
-- **Alternative existante**:
-    - Transition vers des diélectriques alternatifs estimée à 4-6 ans, avec des compromis significatifs sur les performances qui nécessiteraient une reconception des cellules mémoire.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et validation des technologies mémoire avancées estimés à 7-10 ans avant adoption industrielle à grande échelle.
-
-### Impact coût: 0.8
-- **Alternative existante**:
-    - Augmentation potentielle des coûts de 20-40% pour maintenir des performances acceptables avec des matériaux moins efficaces, nécessitant des ajustements majeurs des procédés de fabrication.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements initiaux très élevés pour le développement des nouvelles technologies mémoire, avec une trajectoire de réduction des coûts incertaine à moyen terme.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferMemoire -> Silicium - Coefficient: 0.9
-
-  MemoireRAM -> WaferMemoire [];
-  StockageEMMC -> WaferMemoire [];
-  SSDM2 -> WaferMemoire [];
-  SSD25 -> WaferMemoire [];
-
-### Faisabilité technique: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Matériaux III-V pour certaines applications spécifiques, germanium pour améliorer certaines performances, substrats alternatifs comme le verre ou les polymères pour des applications de niche.
-    - **Quel impact**: Augmentation significative des coûts et complexification des procédés de fabrication. Limitations majeures en termes d'intégration à grande échelle et de compatibilité avec les infrastructures existantes de production de mémoires.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Technologies mémoire alternatives ne nécessitant pas de silicium comme substrat, mémoires organiques ou moléculaires, approches de stockage de données non conventionnelles.
-    - **Quel impact**: Performances potentiellement différentes ouvrant de nouvelles possibilités d'application, mais avec des défis fondamentaux concernant la densité de stockage, la vitesse, l'endurance et la rétention des données.
-
-### Délai d'implémentation: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - Adoption limitée d'alternatives pour des applications spécifiques possible dans un délai de 3-5 ans, mais remplacement complet du silicium comme substrat de base non envisageable à court ou moyen terme.
-- **Alternative théorique**:
-    - Développement et commercialisation des technologies mémoire radicalement nouvelles estimés à 10-15 ans avant qu'elles puissent potentiellement concurrencer les technologies basées sur le silicium à grande échelle.
-
-### Impact coût: 0.9
-- **Alternative existante**:
-    - Augmentation drastique des coûts (3-10x) avec les matériaux alternatifs actuels, rendant ces solutions économiquement viables uniquement pour des applications à très haute valeur ajoutée.
-- **Alternative théorique**:
-    - Investissements colossaux nécessaires pour développer des chaînes de production complètes basées sur de nouvelles approches, avec une incertitude significative sur la viabilité économique à long terme.
-
-### Sources
-- [1] - Université Paris-Saclay. (2025).["M2 Matériaux fonctionnels et applications."](<https://www.universite-paris-saclay.fr/en/education/master/materials-science-and-engineering/m2-materiaux-fonctionnels-et-applications>),
-
-## WaferOptoelectronique -> Gallium - Coefficient: 0.41
-
-  Camera -> WaferOptoelectronique [];
-  EcranOLED -> WaferOptoelectronique [];
-  EcranMiniLED -> WaferOptoelectronique [];
-  EcranLCD -> WaferOptoelectronique [];
-  EcranSpecifique -> WaferOptoelectronique [];
-
-### Faisabilité technique: 0.5
-- **Alternative existante**:
-    - **Lesquelles**: Phosphure d'indium (InP) pour lasers, silicium cristallin pour photovoltaïque.
-    - **Quel impact**: Rendement lumineux réduit de 40% pour LEDs, efficacité photovoltaïque limitée à 18-22% contre 25-28% pour CIGS.
-- **Alternative théorique**:
-    - **Lesquelles**: Pérovskites hybrides, points quantiques InSb.
-    - **Quel impact**: Potentiel théorique supérieur au GaAs mais durée de vie opérationnelle < 1000h dans les prototypes actuels.
-
-### Délai d'implémentation: 0.4
-- **Alternative existante**:
-    - Adoption progressive du silicium en 2-4 ans pour applications basse performance.
-- **Alternative théorique**:
-    - Horizon 5-8 ans pour solutions pérovskites stables (défis de scaling industriel).
-
-### Impact coût: 0.3
-- **Alternative existante**:
-    - Coûts réduits de 10-15% grâce au silicium mais perte de compétitivité technologique.
-- **Alternative théorique**:
-    - Coûts de fabrication initiaux 3x supérieurs, nécessitant des subventions publiques pour adoption.
-
-### Sources
-- 1] - Green, M.A. (2020). "Photovoltaic technologies beyond the silicon era", _Progress in Photovoltaics_.
-- 2] - LED Professional (2023). "Global LED Materials Market Analysis".
-- 3] - Fraunhofer ISE (2024). "CIGS vs Perovskite Solar Cells Roadmap".
-
 ---
 
 # Criticité spécifique
@@ -2570,8 +4032,6 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 > **Contexte :** le creuset en quartz (silice fondue ≥ 5 N) est aujourd’hui indispensable pour tirer des lingots CZ de 300 mm destinés aux processeurs. Sa très faible contamination métallique (< 10 ppb) et son « auto-dopage » contrôlé en oxygène (< 30 ppm) n’ont pas d’équivalent industriel. Les essais de substitution visent surtout à réduire l’oxygène pour la micro-électronique de puissance ; ils ne sont pas encore qualifiés pour la logique haut volume.
 
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-
 ### Faisabilité technique : **0.8**
 
 | Option | Niveau de maturité | Limites identifiées |
@@ -2582,8 +4042,6 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 **Score : 0.8** (aucun substitut équivalent qualifié 300 mm)
 
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-
 ### Délai d’implémentation : **0.7**
 
 - **Qualification 300 mm** des creusets SiC/Si₃N₄ : besoins > 8 ans (scaling pilote → HVM, re-design des « hot-zones » des tireuses, modèle oxygène à recalibrer).
@@ -2591,8 +4049,6 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 **Score : 0.7** (fenêtre 5–10 ans)
 
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-
 ### Impact économique : **0.7**
 
 | Poste | Écart vs. quartz |
@@ -2603,8 +4059,6 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 **Score : 0.7** (sur-coûts significatifs)
 
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-
 ### Synthèse
 
 | Paramètre | Résultat |
@@ -2614,8 +4068,6 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 | **Enjeux clés** | Contamination C/N, gestion oxygène, intégration équipement, coût CAPEX |
 | **Décision** | Maintenir l’approvisionnement en quartz ultra-pur est **critique** pour la filière processeur x86. |
 
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-
 ### Sources
 1. K. Wünsch *et al.* “Material evaluation for engineering a novel crucible setup for the Czochralski process,” *J. Crystal Growth* (2022)  ([Material evaluation for engineering a novel crucible setup for the ...](https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0022024822000707?utm_source=chatgpt.com))
 2. Y. Zhao *et al.* “Si₃N₄/fused quartz composite crucible with enhanced thermal conductivity,” *J. Crystal Growth* (2015)  ([Si 3 N 4 /fused quartz composite crucible with enhanced thermal ...](https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0022024814007155?utm_source=chatgpt.com))
@@ -2624,8 +4076,6 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 5. R. Mühle “Float Zone crystal growth: limitations and prospects,” *ScienceDirect Topics*  ([Float Zone - an overview | ScienceDirect Topics](https://www.sciencedirect.com/topics/earth-and-planetary-sciences/float-zone?utm_source=chatgpt.com))
 6. Total Materia, “Cold-crucible induction melting,” tech-note (2023)  ([cold crucible induction melting | Total Materia](https://www.totalmateria.com/en-us/articles/cold-crucible-induction-melting/?utm_source=chatgpt.com))
 
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-
 ## Métallurgie & semi-conducteurs haute T°C → **Creuset graphite** – Coefficient : **0,44**
 
 > **Contexte :** les creusets en graphite isostatique ou extrudé (pur ≥ 4 N) sont les récipients de référence pour :
@@ -2733,18 +4183,32 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 ## Antimoine
 
-|  | WaferAnalogique | WaferLogique |
-| :-- | :-- | :-- |
-| Coefficient : | 0.6 | 0.6 |
-| Faisabilité technique : | 0.6 | 0.6 |
-| Délai d'implémentation : | 0.5 | 0.5 |
-| Impact coût : | 0.7 | 0.7 |
+|  | Batterie | Audio | Connecteurs | Camera |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+| Faisabilité technique : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+| Délai d'implémentation : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Impact coût : | 0.7 | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
+
+
+|  | Connectivite | Capteurs | DisqueDur | CarteMere |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+| Faisabilité technique : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+| Délai d'implémentation : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Impact coût : | 0.7 | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
+
+
+|  | ProcesseurASIC | ProcesseurARM | ProcesseurX86 |
+| :-- :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+| Faisabilité technique : | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+| Délai d'implémentation : | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Impact coût : | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
 
 ### Synthèses
 
-**WaferAnalogique** : Criticité assez élevée. L'antimoine est utilisé comme dopant dans les semi-conducteurs. Sa substitution nécessiterait des alternatives comme d'autres éléments dopants, avec des modifications significatives des procédés de fabrication. Le délai d'implémentation est estimé à moyen terme avec un impact modéré sur les coûts de production des wafers analogiques.
-
-**WaferLogique** : Criticité assez élevée. L'antimoine joue un rôle important comme dopant dans les semi-conducteurs logiques. Sa substitution nécessiterait d'autres éléments dopants et des modifications importantes des procédés de fabrication. Le délai d'implémentation serait moyen avec un impact significatif sur les coûts et potentiellement sur les performances des puces logiques.
+**Tous composants** : Criticité assez élevée. L'antimoine est utilisé comme dopant dans les semi-conducteurs. Sa substitution nécessiterait des alternatives comme d'autres éléments dopants, avec des modifications significatives des procédés de fabrication. Le délai d'implémentation est estimé à moyen terme avec un impact modéré sur les coûts de production des wafers analogiques.
 
 ## Argent
 
@@ -2905,12 +4369,28 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 ## Gallium
 
-|  | CreusetGraphite | WaferAnalogique | WaferOptoelectronique |
-| :-- | :-- | :-- | :-- |
-| Coefficient : | 0.37 | 0.47 | 0.41 |
-| Faisabilité technique : | 0.4 | 0.5 | 0.5 |
-| Délai d'implémentation : | 0.3 | 0.4 | 0.4 |
-| Impact coût : | 0.4 | 0.5 | 0.3 |
+|  | Batterie | Audio | Connecteurs | Camera |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.47 | 0.47 | 0.47 | 0.47 |
+| Faisabilité technique : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Délai d'implémentation : | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 |
+| Impact coût : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+
+
+|  | Connectivite | Capteurs | DisqueDur | EcranOLED |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.47 | 0.47 | 0.47 | 0.47 |
+| Faisabilité technique : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Délai d'implémentation : | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 |
+| Impact coût : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+
+
+|  | EcranMiniLED | EcranLCD | EcranSpecifique | CreusetGraphite |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.47 | 0.47 | 0.47 | 0.37 |
+| Faisabilité technique : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.4 |
+| Délai d'implémentation : | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.3 |
+| Impact coût : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.4 |
 
 ### Synthèses
 
@@ -2924,12 +4404,28 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 ## Germanium
 
-|  | WaferAnalogique | WaferLogique |
-| :-- | :-- | :-- |
-| Coefficient : | 0.64 | 0.64 |
-| Faisabilité technique : | 0.7 | 0.7 |
-| Délai d'implémentation : | 0.6 | 0.7 |
-| Impact coût : | 0.6 | 0.6 |
+|  | Batterie | Audio | Connecteurs | Camera |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.64 | 0.64 | 0.64 | 0.64 |
+| Faisabilité technique : | 0.7 | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
+| Délai d'implémentation : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+| Impact coût : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+
+
+|  | Connectivite | Capteurs | DisqueDur | CarteMere |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.64 | 0.64 | 0.64 | 0.64 |
+| Faisabilité technique : | 0.7 | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
+| Délai d'implémentation : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+| Impact coût : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+
+
+|  | ProcesseurASIC | ProcesseurARM | ProcesseurX86 |
+| :-- :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.64 | 0.64 | 0.64 |
+| Faisabilité technique : | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
+| Délai d'implémentation : | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+| Impact coût : | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
 
 ### Synthèses
 
@@ -2954,6 +4450,22 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 ## Hafnium
 
+|  | CarteMere | ProcesseurASIC | ProcesseurARM | ProcesseurX86 |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.81 | 0.81 | 0.81 | 0.81 |
+| Faisabilité technique : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Délai d'implémentation : | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 0.8 |
+| Impact coût : | 0.7 | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
+
+
+|  | MemoireRAM | StockageEMMC | SSDM2 | SSD25 |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.81 | 0.81 | 0.81 | 0.81 |
+| Faisabilité technique : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Délai d'implémentation : | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 0.8 |
+| Impact coût : | 0.7 | 0.7 | 0.7 | 0.7 |
+
+
 |  | ProcedeEUV | ProcesseurARM | ProcesseurASIC | ProcesseurX86 |
 | :-- | :-- | :-- | :-- | :-- |
 | Coefficient : | 0.9 | 0.8 | 0.84 | 0.84 |
@@ -2961,13 +4473,6 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 | Délai d'implémentation : | 0.9 | 0.8 | 0.8 | 0.8 |
 | Impact coût : | 0.9 | 0.8 | 0.8 | 0.8 |
 
-|  | WaferLogique | WaferMemoire |
-| :-- | :-- | :-- |
-| Coefficient : | 0.81 | 0.8 |
-| Faisabilité technique : | 0.9 | 0.8 |
-| Délai d'implémentation : | 0.8 | 0.8 |
-| Impact coût : | 0.7 | 0.8 |
-
 ### Synthèses
 
 **ProcedeEUV** : Criticité très élevée. Le hafnium est essentiel dans les technologies de procédé EUV pour la fabrication de semi-conducteurs avancés. Sa substitution affecterait gravement les performances et la miniaturisation des circuits intégrés. Les alternatives sont extrêmement limitées et largement théoriques. Le délai d'implémentation serait très long avec un impact économique massif sur l'industrie des semi-conducteurs.
@@ -3125,12 +4630,28 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 ## Phosphore
 
-|  | WaferAnalogique | WaferLogique |
-| :-- | :-- | :-- |
-| Coefficient : | 0.5 | 0.5 |
-| Faisabilité technique : | 0.5 | 0.5 |
-| Délai d'implémentation : | 0.4 | 0.4 |
-| Impact coût : | 0.6 | 0.6 |
+|  | Batterie | Audio | Connecteurs | Camera |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Faisabilité technique : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Délai d'implémentation : | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 |
+| Impact coût : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+
+
+|  | Connectivite | Capteurs | DisqueDur | CarteMere |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Faisabilité technique : | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Délai d'implémentation : | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 |
+| Impact coût : | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
+
+
+|  | ProcesseurASIC | ProcesseurARM | ProcesseurX86 |
+| :-- :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Faisabilité technique : | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
+| Délai d'implémentation : | 0.4 | 0.4 | 0.4 |
+| Impact coût : | 0.6 | 0.6 | 0.6 |
 
 ### Synthèses
 
@@ -3215,8 +4736,32 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 ## Silicium
 
-|  | WaferAnalogique | WaferLogique | WaferMemoire |
-| :-- | :-- | :-- | :-- |
+|  | Batterie | Audio | Connecteurs | Camera |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Faisabilité technique : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Délai d'implémentation : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Impact coût : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+
+
+|  | Connectivite | Capteurs | DisqueDur | CarteMere |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Faisabilité technique : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Délai d'implémentation : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Impact coût : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+
+
+|  | ProcesseurASIC | ProcesseurARM | ProcesseurX86 | MemoireRAM |
+| :-- :-- | :-- | :-- | :-- |
+| Coefficient : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Faisabilité technique : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Délai d'implémentation : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+| Impact coût : | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
+
+
+|  | StockageEMMC | SSDM2 | SSD25 |
+| :-- :-- | :-- | :-- |
 | Coefficient : | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
 | Faisabilité technique : | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
 | Délai d'implémentation : | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
@@ -3333,4 +4878,4 @@ La déclinaison de cette méthode par relation donnée ci-dessous se base sur de
 
 **Batterie** : Criticité faible à moyenne. Les batteries lithium-ion standard, piles alcalines et NiMH sont déjà largement utilisées comme alternatives. La substitution est immédiate. L'impact économique montre que les technologies lithium-ion sont plus coûteuses mais offrent un meilleur rapport coût/performance. Des batteries zinc-air rechargeables améliorées sont en développement à court terme.
 
-**Boitier** : Criticité faible à moyenne. Les revêtements organiques, électrochimiques alternatifs et galvanisation à l'aluminium offrent une performance comparable ou supérieure pour la protection contre la corrosion. L'adoption est immédiate. L'impact économique varie selon les alternatives, de légère augmentation à réduction potentielle des coûts. Des revêtements nanostructurés sont en développement à court terme.
+**Boitier** : Criticité faible à moyenne. Les revêtements organiques, électrochimiques alternatifs et galvanisation à l'aluminium offrent une performance comparable ou supérieure pour la protection contre la corrosion. L'adoption est immédiate. L'impact économique varie selon les alternatives, de légère augmentation à réduction potentielle des coûts. Des revêtements nanostructurés sont en développement à court terme.
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