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type_fiche: fabrication
produit: Stockage eMMC/UFS
schema: StockageEMMC
version: 1.0
date: 2025-04-22
commentaire: Version initiale
auteur: Stéphan Peccini
sources_communes:
  - Objectif_final_v0-7.pdf §2  (méthodologie de calcul)
  - …
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# Fiche {{ type_fiche }} {{ produit }}

| Version | Date | Commentaire |
| :-- | :-- | :-- |
| {{ version }} | {{ date }} | {{ commentaire }} |

## Présentation synthétique

Les technologies de stockage eMMC (embedded MultiMediaCard) et UFS (Universal Flash Storage) représentent les solutions de mémoire non-volatile intégrées dominantes dans les appareils mobiles et systèmes embarqués modernes. Ces composants combinent des puces mémoire NAND Flash avec un contrôleur dédié dans un format compact et soudé directement sur la carte mère, éliminant le besoin de stockage amovible. L'eMMC, développé dans les années 2000, offre une interface parallèle avec des débits atteignant 400 Mo/s pour les versions 5.1, tandis que l'UFS, son successeur introduit en 2011, utilise une architecture série full-duplex permettant des transferts simultanés en lecture/écriture avec des performances jusqu'à 2900 Mo/s pour l'UFS 3.1. L'évolution des générations s'accompagne d'améliorations significatives non seulement en performance mais aussi en efficacité énergétique, élément crucial pour les appareils sur batterie. Les smartphones haut de gamme actuels intègrent généralement de l'UFS 3.0/3.1, les modèles d'entrée de gamme conservant l'eMMC 5.1, avec des capacités allant de 32 Go à 512 Go pour les appareils grand public.

## Composants utilisés

| Composant | Fonction | Origine (fiche composant) | Part dans le coût total |
| :-- | :-- | :-- | :-- |
| NAND Flash | Stockage non-volatile des données | Fiche WaferMemoire | 55-65% |
| Contrôleur mémoire | Gestion des opérations d'écriture/lecture | Fiche WaferLogique | 15-20% |
| PCB multicouche | Support des composants | Fiche CarteMere | 5-8% |
| Boîtier BGA | Protection et interconnexion | Fiche Boîtier | 4-7% |
| Firmware | Logiciel de gestion de la mémoire | - | 3-5% |
| Microsoudures | Connexions électriques | Fiche Etain/Argent | 2-3% |
| Composants passifs | Stabilisation électrique | Fiche Ceramiques | 1-2% |
| Résine d'encapsulation | Protection environnementale | Fiche Plastiques | 1-2% |

_Note: Les proportions varient selon le type (eMMC ou UFS), la génération et la capacité de stockage du composant._

```yaml
Fabrication_StockageEMMC:
  EtatsUnis_Fabrication_StockageEMMC:
    nom_du_pays: États-Unis
    part_de_marche: 25%
    acteurs:
      Micron_EtatsUnis_Fabrication_StockageEMMC:
        nom_de_l_acteur: Micron Technology
        part_de_marche: 11%
        pays_d_origine: États-Unis
      WD_EtatsUnis_Fabrication_StockageEMMC:
        nom_de_l_acteur: Western Digital
        part_de_marche: 14%
        pays_d_origine: États-Unis
  Japon_Fabrication_StockageEMMC:
    nom_du_pays: Japon
    part_de_marche: 15%
    acteurs:
      Kioxia_Japon_Fabrication_StockageEMMC:
        nom_de_l_acteur: Kioxia
        part_de_marche: 15%
        pays_d_origine: Japon
  Chine_Fabrication_StockageEMMC:
    nom_du_pays: Chine
    part_de_marche: 6%
    acteurs:
      Yangtze_Chine_Fabrication_StockageEMMC:
        nom_de_l_acteur: Yangtze Memory
        part_de_marche: 4%
        pays_d_origine: Chine
      Longsys_Chine_Fabrication_StockageEMMC:
        nom_de_l_acteur: Longsys
        part_de_marche: 2%
        pays_d_origine: Chine
  CoreeDuSud_Fabrication_StockageEMMC:
    nom_du_pays: Corée du Sud
    part_de_marche: 54%
    acteurs:
      SKHynix_CoreeDuSud_Fabrication_StockageEMMC:
        nom_de_l_acteur: SK Hynix
        part_de_marche: 18%
        pays_d_origine: Corée du Sud
      Samsung_CoreeDuSud_Fabrication_StockageEMMC:
        nom_de_l_acteur: Samsung Electronics
        part_de_marche: 36%
        pays_d_origine: Corée du Sud
```
## Principaux fabricants

<!---- AUTO-BEGIN:TABLEAU-FABRICANTS -->
| **Pays d'implantation** | **Entreprise** | **Pays d'origine** | **Part de marché** |
| :-- | :-- | :-- | :-- |
*(cette section sera remplie automatiquement)*
<!---- AUTO-END:TABLEAU-FABRICANTS -->

**Unités** : million d'unité/an

**Total** : 1165

_Note: La production est fortement concentrée autour de quelques acteurs intégrés verticalement qui fabriquent à la fois la mémoire NAND et les contrôleurs._

## Contraintes spécifiques à la fabrication

| Contrainte | Description | Impact sur la production |
| :-- | :-- | :-- |
| Gravure NAND | Technologie 3D à 96-176 couches | Équipements spécialisés, haut niveau d'expertise |
| Propreté extrême | Salles blanches classe 10-100 (ISO 4-5) | Infrastructures coûteuses, contrôles stricts |
| Miniaturisation | Densité de stockage en constante augmentation | Rendements variables, coûts élevés |
| Architecture 3D | Empilage vertical des cellules mémoire | Équipements spécifiques, procédés complexes |
| Test d'endurance | Validation de la durée de vie (cycles P/E) | Tests prolongés, échantillonnage statistique |
| Stabilité du firmware | Fiabilité des algorithmes de gestion | Développement logiciel spécialisé |
| Compatibilité électromagnétique | Conformité aux normes d'interférence | Tests supplémentaires, designs adaptés |
| Profil thermique | Gestion de la chaleur dans un format compact | Matériaux spécifiques, simulations thermiques |
| Classification de vitesse | Tri des composants selon performances | Tests à haute fréquence, rendements variables |

_Note: La fabrication des mémoires flash avancées compte parmi les processus les plus complexes de l'industrie électronique, avec des cycles de production pouvant atteindre 3-4 mois._

## Matrice des risques liés à la fabrication

| Impact/Probabilité | Faible | Moyen | Fort |
| :-- | :-- | :-- | :-- |
| **Fort** |  | R1 (Concentration géographique) | R2 (Volatilité prix NAND) |
| **Moyen** | R3 (Équipements lithographiques) | R4 (Transition technologique) | R5 (Dépendance fournisseurs) |
| **Faible** | R6 (Propriété intellectuelle) |  |  |

**Détail des risques principaux:**

- **R1**: Concentration excessive de la production en Corée du Sud (54%), vulnérabilité aux événements régionaux
- **R2**: Fluctuations importantes des prix de la mémoire NAND (variations >40% possibles sur 12 mois)
- **R3**: Disponibilité limitée des équipements de lithographie avancés (ASML, Applied Materials)
- **R4**: Complexité croissante des transitions technologiques (eMMC→UFS, augmentation nombre de couches NAND)
- **R5**: Nombre restreint de fournisseurs capables de produire les contrôleurs avancés
- **R6**: Environnement de brevets complexe avec risques de litiges sur les architectures de contrôleurs et firmware

<!---- AUTO-BEGIN:SECTION-IHH -->
*(cette section sera remplie automatiquement)*
<!---- AUTO-END:SECTION-IHH -->

## Scénarios critiques projetés

À compléter

## Sources

- https://www.jedec.org/standards-documents/technology-focus-areas/flash-memory-ssds-ufs-emmc
- https://www.trendfocus.com/solid-state-storage-and-technology/
- https://www.gartner.com/en/documents/3991448/market-share-flash-memory-worldwide-2019
- https://www.counterpointresearch.com/press-release/global-nand-flash-market-share/
- https://www.techinsights.com/blog/ufs-31-adoption-increasing-amid-rising-flash-memory-demand
- https://www.idc.com/getdoc.jsp?containerId=prUS49338523
- https://www.snia.org/education/what-is-flash
- https://www.semiconductor-digest.com/the-best-of-both-worlds-storage-class-memory/