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type_fiche: fabrication
produit: Processeur ASIC/spécialisé
schema: ProcesseurASIC
version: 1.0
date: 2025-04-22
commentaire: Version initiale
auteur: Stéphan Peccini
sources_communes:
  - Objectif_final_v0-7.pdf §2  (méthodologie de calcul)
  - …
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| Version | Date | Commentaire |
| :-- | :-- | :-- |
| {{ version }} | {{ date }} | {{ commentaire }} |

## Présentation synthétique

Les processeurs ASIC (Application-Specific Integrated Circuit) et autres circuits spécialisés représentent une catégorie d'accélérateurs matériels conçus pour exceller dans des tâches spécifiques, contrairement aux CPU généralistes. Cette famille englobe les GPU (Graphics Processing Units), les FPGA (reprogrammables), les NPU (Neural Processing Units), les TPU (Tensor Processing Units) et divers accélérateurs pour cryptographie, traitement vidéo ou intelligence artificielle. Leur conception privilégie une architecture hautement parallèle avec des milliers de cœurs simplifiés pour les GPU ou des circuits optimisés pour un algorithme précis pour les ASIC purs. Les GPU modernes, représentant le segment le plus important de cette catégorie, intègrent jusqu'à 24000 cœurs de calcul (NVIDIA H100), une mémoire dédiée haute performance (HBM), et des unités spécialisées pour le ray tracing ou les opérations tensorielles. Les accélérateurs d'IA dédiés peuvent atteindre plusieurs centaines de TOPS (trillions d'opérations par seconde) tout en optimisant l'efficacité énergétique. Ces composants sont cruciaux pour les applications exigeantes en calcul parallèle comme le rendu graphique, l'apprentissage profond, l'analyse scientifique et désormais le large language models (LLM).

## Composants utilisés

| Composant | Fonction | Origine (fiche composant) | Part dans le coût total |
| :-- | :-- | :-- | :-- |
| Transistors avancés FinFET/GAAFET | Logique de calcul | Fiche WaferLogique | 30-35% |
| Mémoire embarquée SRAM | Cache ultra-rapide | Fiche WaferMemoire | 15-20% |
| Mémoire HBM/GDDR | Stockage données haute performance | Fiche WaferMemoire | 20-25% |
| Interconnexions cuivre avancées | Transport des signaux | Fiche Cuivre | 5-8% |
| Structures de silicium | Substrat de base | Fiche Silicium | 8-12% |
| Matériaux diélectriques | Isolation électrique | Fiche WaferLogique | 4-6% |
| Circuits de conversion numérique/analogique | Interface avec monde physique | Fiche WaferAnalogique | 3-5% |
| Boîtier spécialisé | Dissipation thermique, connexions | Fiche Boîtier | 8-12% |
| Substrat organique | Support du die | Fiche Plastiques | 2-4% |

_Note: La composition varie significativement entre GPU grand public, cartes graphiques professionnelles, ASIC pour cryptomonnaies et accélérateurs d'IA. Les modèles haut de gamme intègrent davantage de mémoire HBM dont le coût peut représenter jusqu'à 35% du total._

```yaml
Fabrication_ProcesseurASIC:
  Allemagne_Fabrication_ProcesseurASIC:
    nom_du_pays: Allemagne
    part_de_marche: 3%
    acteurs:
      GlobalFoundries_Allemagne_Fabrication_ProcesseurASIC:
        nom_de_l_acteur: GlobalFoundries
        part_de_marche: 3%
        pays_d_origine: États-Unis
  Taiwan_Fabrication_ProcesseurASIC:
    nom_du_pays: Taïwan
    part_de_marche: 56%
    acteurs:
      TSMC_Taiwan_Fabrication_ProcesseurASIC:
        nom_de_l_acteur: TSMC
        part_de_marche: 56%
        pays_d_origine: Taïwan
  Chine_Fabrication_ProcesseurASIC:
    nom_du_pays: Chine
    part_de_marche: 5%
    acteurs:
      SMIC_Chine_Fabrication_ProcesseurASIC:
        nom_de_l_acteur: SMIC
        part_de_marche: 5%
        pays_d_origine: Chine
  EtatsUnis_Fabrication_ProcesseurASIC:
    nom_du_pays: États-Unis
    part_de_marche: 8%
    acteurs:
      Intel_EtatsUnis_Fabrication_ProcesseurASIC:
        nom_de_l_acteur: Intel
        part_de_marche: 8%
        pays_d_origine: États-Unis
  Singapour_Fabrication_ProcesseurASIC:
    nom_du_pays: Singapour
    part_de_marche: 2%
    acteurs:
      GlobalFoundries_Singapour_Fabrication_ProcesseurASIC:
        nom_de_l_acteur: GlobalFoundries
        part_de_marche: 2%
        pays_d_origine: États-Unis
  Israel_Fabrication_ProcesseurASIC:
    nom_du_pays: Israël
    part_de_marche: 4%
    acteurs:
      Tower_Israel_Fabrication_ProcesseurASIC:
        nom_de_l_acteur: Tower Semiconductor
        part_de_marche: 4%
        pays_d_origine: Israël
  CoreeDuSud_Fabrication_ProcesseurASIC:
    nom_du_pays: Corée du Sud
    part_de_marche: 20%
    acteurs:
      Samsung_CoreeDuSud_Fabrication_ProcesseurASIC:
        nom_de_l_acteur: Samsung Foundry
        part_de_marche: 20%
        pays_d_origine: Corée du Sud
```
## Principaux fabricants

<!---- AUTO-BEGIN:TABLEAU-FABRICANTS -->
| **Pays d'implantation** | **Entreprise** | **Pays d'origine** | **Part de marché** |
| :-- | :-- | :-- | :-- |
*(cette section sera remplie automatiquement)*
<!---- AUTO-END:TABLEAU-FABRICANTS -->

**Unités** : million d'unité/an

**Total** : 481

_Note: Cette fiche se concentre uniquement sur la fabrication physique des processeurs ASIC/spécialisés. La conception de ces processeurs, réalisée par des entreprises fabless comme NVIDIA, AMD, Google, etc., n'est pas couverte dans ce document._

## Contraintes spécifiques à la fabrication

| Contrainte | Description | Impact sur la production |
| :-- | :-- | :-- |
| Finesse de gravure | Nœuds avancés (3-5nm) | Équipements EUV limités (ASML), coûts élevés |
| Complexité du design | Milliards de transistors sur une puce | Cycles de conception prolongés (18-24 mois) |
| Dissipation thermique | Densité de puissance très élevée (>300W) | Matériaux d'interface thermique avancés, boîtiers spéciaux |
| Taille des dies | Surface importante (jusqu'à 800mm²) | Rendements limités, reticle stitching nécessaire |
| Interposeur silicium | Pour intégration HBM et chiplets | Procédés additionnels complexes, tests supplémentaires |
| Assemblage 3D | Empilage de mémoire HBM | Équipements spécialisés, procédés de micro-bump |
| Consommation d'énergie | Optimisation perf/watt critique | Techniques avancées de power gating et clock gating |
| Tests fonctionnels | Vérification de performances complexes | Équipements de test coûteux, temps de qualification étendu |
| Mise à l'échelle | Demande fortement variable | Capacité de production limitée pour nœuds avancés |

_Note: Les ASICs et GPUs haut de gamme représentent les semiconducteurs les plus complexes à fabriquer, avec leurs designs massivement parallèles et leur besoin d'intégration 3D pour la mémoire HBM. Les contraintes augmentent significativement avec chaque génération._

## Matrice des risques liés à la fabrication

| Impact/Probabilité | Faible | Moyen | Fort |
| :-- | :-- | :-- | :-- |
| **Fort** |  | R1 (Concentration géographique TSMC) | R2 (Accès technologie EUV) |
| **Moyen** | R3 (Propriété intellectuelle) | R4 (Pénurie matériaux) | R5 (Restrictions commerciales) |
| **Faible** | R6 (Transition vers chiplets) |  |  |

**Détail des risques principaux:**

- **R1**: Concentration critique de la production avancée à Taiwan (TSMC), vulnérabilité géopolitique et catastrophes naturelles
- **R2**: Dépendance totale envers ASML (Pays-Bas) pour les machines EUV indispensables aux nœuds <7nm, avec des délais de livraison >18 mois
- **R3**: Écosystème complexe de brevets et licences, risques de litiges entre acteurs majeurs
- **R4**: Approvisionnement tendu pour substrats ABF et matériaux d'encapsulation spécialisés
- **R5**: Contrôles à l'exportation et restrictions géopolitiques limitant l'accès aux technologies avancées pour certains pays
- **R6**: Transition architecturale vers des designs en chiplets nécessitant de nouvelles compétences et équipements

<!---- AUTO-BEGIN:SECTION-IHH -->
*(cette section sera remplie automatiquement)*
<!---- AUTO-END:SECTION-IHH -->

## Scénarios critiques projetés

À compléter

## Sources

À compléter